1.3微米InGaAsP/InP双沟道平面掩埋异质结激光器
| Autor: | 赵嵩山, 王德超, 吴友宇, 李洵 |
|---|---|
| Jazyk: | čínština |
| Rok vydání: | 1985 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | Guangtongxin yanjiu, Vol , Pp 15-21 (1985) |
| Druh dokumentu: | article |
| ISSN: | 1005-8788 |
| DOI: | 10.13756/j.gtxyj.1985.02.005 |
| Popis: | 本文介绍具有机好的P-N-P-N电流限制的双沟道平面掩埋异质结激光器（DC-PBH LD）。器件正向泄漏电流小于1μA/5V,阈值电流20mA,20℃时的光功率线性输出大于10mW,最大功率输出大于20mW,50℃光功率线性输出10mW,70℃连续工作,光功率输出大于1.3mW,外微分量子效率50％,比接触电阻3.6-4.8×10-5Ωcm2,光谱为极好的单纵模,远场辐射θ2～15°,θ1～15°-30°,耦合效率高达90％。 |
| Databáze: | Directory of Open Access Journals |
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