| Autor: |
Milagro Montilla, Domingo Alarcón, Reynaldo Ortiz |
| Jazyk: |
English<br />Spanish; Castilian |
| Rok vydání: |
2007 |
| Předmět: |
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| Zdroj: |
Revista Técnica de la Facultad de Ingeniería, Vol 30, Iss 3, Pp 209-215 (2007) |
| Druh dokumentu: |
article |
| ISSN: |
0254-0770 |
| Popis: |
En este trabajo se muestran los resultados obtenidos del estudio del crecimiento electroquímico y caracterización de películas delgadas del semiconductor CdTe. El crecimiento se realizó mediante la electrodeposición catódica a potencial constante a partir de soluciones acuosas alcalinas de las especies precursoras TeO3(2-) y Cd2+ y EDTA como agente acomplejante para el Cd2+. La composición de las películas se determinó por espectroscopía de emisión atómica con plasma inductivamente acoplado (AES-ICP) y espectroscopia de dispersión de rayos X (EDX). Estudios realizados por espectroscopía de reflectancia UV-visible y fotovoltametría, permitieron determinar que las películas CdTe electrodepositadas presentan un comportamiento de semiconductor tipo p y un valor de brecha energética de 1,64 eV.In the present work, we report the electrochemical growth and characterization of CdTe semiconductor thin films in alkaline solution. The electrodeposition was performed cathodically applying a constant potential. Tellurium (IV) and Cd2+ aqueous alkaline solutions were employed as precursor of CdTe. EDTA was used as complexing agent for Cd2+ ions. The thin film composition was determined by atomic emission spectroscopy with inductive coupling plasm (AES-ICP) and Energy Dispersive X-ray Analysis). UV-visible spectroscopy allowed determining the optical band gap energy, which was 1.64 eV. The photovoltammetric experiment shows up that the synthesized CdTe thin film was p-type semiconductor. |
| Databáze: |
Directory of Open Access Journals |
| Externí odkaz: |
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