EFECTOS ESTRUCTURALES EN EL SEMICONDUCTOR INSB, POR LA APLICACIÓN DE DIFERENTES MÉTODOS DE PRESIÓN

Autor: MIRYAM R. JOYA, JOSE J. BARBA, PAULO S. PIZANI
Jazyk: English<br />Spanish; Castilian
Rok vydání: 2012
Předmět:
Zdroj: Dyna, Vol 79, Iss 175, Pp 137-141 (2012)
Druh dokumentu: article
ISSN: 0012-7353
Popis: En este trabajo se estudia las modificaciones sufridas por el Antimoneto de Indio (InSb), crecido en la dirección [100], cuando es sometido a testes de micro-indentación mecánica, altas presiones hidrostáticas y presión por impacto. Los estudios topográficos y tomográficos de las muestras fueron hechos por medio de espectroscopia micro-Raman con diferentes longitudes de onda de la luz de excitación. El corrimiento de la posición de los fonones y el surgimiento de nuevos picos Raman permite el análisis tanto químico como estructural del sistema en estudio.
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