اثر تهی جای ها در خواص مغناطیسی نانونوارهای گرافینی آرمچیر
| Autor: | ابراهیم کشاورز صفری, منوچهر بابایی پور, علی اصغر شکری |
|---|---|
| Jazyk: | perština |
| Rok vydání: | 2016 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | پژوهش سیستم‌های بس‌ذره‌ای, Vol 6, Iss ویژه نامه شماره 2, Pp 57-63 (2016) |
| Druh dokumentu: | article |
| ISSN: | 2322-231X 2588-4980 |
| DOI: | 10.22055/jrmbs.2016.12478 |
| Popis: | گرافین کامل و دست نخورده و نیز نانونوارهای آرمچیر پایان یافته با هیدروژن در غیاب نقص‌های شبکه، موادی غیرمغناطیسی هستند. حضور تهی‌جای‌ها، خواص مغناطیسی را به‌شدت تحت تأثیر قرار داده و ممکن است قطبیدگی اسپینی قابل توجهی را در این مواد به وجود آورند. در این مقاله، با استفاده از روش محاسبات اصول اولیه مبتنی بر نظریه تابعی چگالی کوهن-شم، اثر حضور تهی‌جای‌ها در خواص مغناطیسی و قطبیدگی اسپینی نانونوارهای گرافینی آرمچیر یک‌لایه و دولایه بررسی شده است. نتایج نشان می‌دهند که مقادیر گشتاورهای مغناطیسی به تعداد و آرایش تهی‌جای‌ها، فاصله آن‌ها از یکدیگر و از لبه‌های نانونوار بستگی دارد. |
| Databáze: | Directory of Open Access Journals |
| Externí odkaz: |
|