NGHIÊN CỨU CÁC TÍNH CHẤT ĐIỆN TỬ VÀ TRUYỀN DẪN CỦA VẬT LIỆU HAI CHIỀU ĐƠN LỚP JANUS TiSiSeP2 BẰNG LÝ THUYẾT PHIẾM HÀM MẬT ĐỘ
| Autor: | Thi Tuyet Vi Vo, Quang Cuong Nguyen, Ngoc Hieu Nguyen |
|---|---|
| Jazyk: | English<br />Vietnamese |
| Rok vydání: | 2023 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | Tạp chí Khoa học Đại học Huế: Khoa học Tự nhiên, Vol 132, Iss 1C (2023) |
| Druh dokumentu: | article |
| ISSN: | 1859-1388 2615-9678 |
| DOI: | 10.26459/hueunijns.v132i1C.7248 |
| Popis: | Trong bài báo này, các tính chất điện tử và truyền dẫn của vật liệu hai chiều đơn lớp Janus TiSiSeP2 được nghiên cứu bằng pháp lý thuyết phiếm hàm mật độ (DFT). Các tính toán cho thấy đơn lớn TiSiSeP2 có cấu trúc bền vững và có khả năng tổng hợp được bằng thực nghiệm. Ở trạng thái cơ bản, đơn lớp Janus TiSiSeP2 là bán dẫn với vùng cấm xiên có bề rộng là 1,23 eV khi được tính bằng phiếm hàm lai HSE06. Các đặc trưng điện tử của TiSiSeP2 phụ thuộc rất lớn vào biến dạng, đặc biệt là độ rộng vùng cấm. Bên cạnh đó, các đặc trưng truyền dẫn của TiSiSeP2 cũng đã được tính toán một cách hệ thống trong bài báo này. Các kết quả nghiên cứu góp phần hiểu rõ hơn về các tính chất vật lý của vật liệu hai chiều đơn lớp Janus TiSiSeP2. |
| Databáze: | Directory of Open Access Journals |
| Externí odkaz: |
|