Simulação da Influência dos Diferentes Tipos de Dopantes no Comportamento da Homojunção de Células Fotovoltaicas Baseadas Em Silício.

Autor:	Fernando Barbosa Matos, José Roberto Camacho
Jazyk:	English<br />Portuguese
Rok vydání:	2008
Předmět:	Energia Fotovoltaica Energia Solar Junção PN Modelo Computacional Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering TK1-9971
Zdroj:	Eletrônica de Potência, Vol 13, Iss 4 (2008)
Druh dokumentu:	article
ISSN:	1414-8862 1984-557X
DOI:	10.18618/REP.2008.4.225230
Popis:	As propriedades físicas das células fotovoltaicas baseadas em silício (Si) sofrem influência dos componentes utilizados na composição dos semicondutores tipo N e tipo P. Essa influência se manifesta principalmente no comportamento da camada de depleção. Desta forma é possível observar neste trabalho que as alterações dos dopantes utilizados irão afetar tanto a barreira potencial, quanto o comprimento da camada de depleção, modificando a corrente reversa de saturação e a tensão em circuito aberto, como também as características de tensão e corrente da célula.
Databáze:	Directory of Open Access Journals
Externí odkaz:	https://doaj.org/article/45da817c79284aa89ba5b69be2483c8b Zobrazit plný text záznamu View record in DOAJ