| Autor: |
Павел Владимирович Середин, Шукрилло Шамсидинович Шарофидинов, Дмитрий Леонидович Голощапов, Никита Сергеевич Буйлов, Константин Александрович Еремеев, Шаира Абдувалиевна Юсупова, Сергей Арсеньевич Кукушкин |
| Jazyk: |
English<br />Russian |
| Rok vydání: |
2024 |
| Předmět: |
|
| Zdroj: |
Конденсированные среды и межфазные границы, Vol 26, Iss 3 (2024) |
| Druh dokumentu: |
article |
| ISSN: |
1606-867X |
| DOI: |
10.17308/kcmf.2024.26/12227 |
| Popis: |
Впервые методом хлорид-гидридной эпитаксии на гибридной подложке SiC/Si, синтезированной методом согласованного замещения атомов, сформирована многослойная гетероструктура, состоящая из периодически расположенных слоев GaN и AlN. Комплексное исследование гетероструктуры с использованием наномасштабного Рамановского картирования упругих напряжений показало, что в верхнем GaN слое величина двухосного напряжения sxx имеет минимальное значение ~ –0.12 ГПа. При этом в сверхрешетках, расположенных в верхней части гетероструктуры, напряжения практически отсутствуют |
| Databáze: |
Directory of Open Access Journals |
| Externí odkaz: |
|
