Stability-Enhanced Resistive Random-Access Memory via Stacked InxGa1–xO by the RF Sputtering Method

Autor: Wei-Lun Huang, Yong-Zhe Lin, Sheng-Po Chang, Wei-Chih Lai, Shoou-Jinn Chang
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2021
Předmět:
Zdroj: ACS Omega, Vol 6, Iss 16, Pp 10691-10697 (2021)
Druh dokumentu: article
ISSN: 2470-1343
DOI: 10.1021/acsomega.1c00112
Databáze: Directory of Open Access Journals