Crecimiento de heteroestructuras de GaSb/GalnAsSb/GaSb por la técnica de Epitaxia en Fase Líquida

Autor:	José Fernando Gómez, Ana Patricia Cardona, Marianela De-Los-Ríos, Liliana Tirado-Trujillo, Hernando Ariza-Calderón
Jazyk:	Spanish; Castilian
Rok vydání:	2009
Předmět:	Semiconductores heteroestructura EFL DRX FL Technology (General) T1-995 General Works Social sciences (General) H1-99
Zdroj:	Revista de Investigaciones Universidad del Quindío, Vol 19, Iss 1 (2009)
Druh dokumentu:	article
ISSN:	1794-631X 2500-5782
DOI:	10.33975/riuq.vol19n1.770
Popis:	En este trabajo se muestran algunos resultados preliminares del proceso de crecimiento por la técnica de Epitaxia en Fase Líquida (EFL) de la heteroestructura GaSb/GaInAsSb/GaSb. Se describe el proceso de fabricación de la heteroestructura así como también se muestran los resultado obtenidos de su caracterización por Difracción de Rayos X (DRX) y Fotoluminiscencia (FL) los cuales evidencian el crecimiento epitaxial de la heteroestructura.
Databáze:	Directory of Open Access Journals
Externí odkaz:	https://doaj.org/article/ec1c55e794014164b54545865ffa8f07 Zobrazit plný text záznamu View record in DOAJ