Autor: |
Dariusz Chrobak, Grzegorz Ziółkowski, Artur Chrobak |
Jazyk: |
angličtina |
Rok vydání: |
2021 |
Předmět: |
|
Zdroj: |
Materials, Vol 14, Iss 15, p 4157 (2021) |
Druh dokumentu: |
article |
ISSN: |
1996-1944 |
DOI: |
10.3390/ma14154157 |
Popis: |
With classical molecular dynamics simulations, we demonstrated that doping of the InP crystal with Zn and S atoms reduces the pressure of the B3→B1 phase transformation as well as inhibits the development of a dislocation structure. On this basis, we propose a method for determining the phenomenon that initiates nanoscale plasticity in semiconductors. When applied to the outcomes of nanoindentation experiments, it predicts the dislocation origin of the elastic-plastic transition in InP crystal and the phase transformation origin of GaAs incipient plasticity. |
Databáze: |
Directory of Open Access Journals |
Externí odkaz: |
|
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje |
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
|