Особливості приповерхневої провідності кремнієвих мікроструктур за низьких температур
| Autor: | Antolii Oleksandrovych Druzhynin, Ihor Petrovych Ostrovskyi, Yurii Mykolaiovych Khoverko, Nazar Ihorovych Kucherepa |
|---|---|
| Jazyk: | English<br />Ukrainian |
| Rok vydání: | 2018 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | Mìkrosistemi, Elektronìka ta Akustika, Vol 23, Iss 3 (2018) |
| Druh dokumentu: | article |
| ISSN: | 2523-4455 2523-4447 |
| DOI: | 10.20535/2523-4455.2018.23.3.130790 |
| Popis: | Досліджено особливості перенесення носіїв заряду мікрокристалів кремнію, легованих бором до концентрацій, які відповідають переходу метал-діелектрик, та нікелем, що знаходиться у приповерхневій області кристала. Досліджено намагніченість до 0,4 Тл та магнетоопір ниткоподібних мікрокристалів кремнію під дією магнітних полів до 14 Тл за температури 4,2 К. Проведено детальний аналіз результатів теоретичних досліджень магнітних та магнітотранспортних властивостей Si. Встановлено квадратичний характер залежності коефіцієнту від’ємного магнетоопору від намагніченості в мікрокристалах кремнію для інтервалу намагніченості більше 5´105 A/м, що відповідає стрибковій провідності носіїв заряду по двічі зайнятим домішковим станам. Натомість для малих М до 5´105 A/м порушується квадратична залежність магнетоопору від намагніченості, що пов’язано із стрибковим механізмом перенесення носіїв заряду по однозайнятим домішковим рівням. Встановлено, що введення магнітної домішки може вплинути на електромагнітні властивості кристала, пов'язані з транспортом носіїв заряду шляхом стрибкового тунелювання в приповерхневій зоні. Бібл. 30, рис. 5, табл. 1. |
| Databáze: | Directory of Open Access Journals |
| Externí odkaz: |
|