Recent Advances in In-Memory Computing: Exploring Memristor and Memtransistor Arrays with 2D Materials

Autor:	Hangbo Zhou, Sifan Li, Kah-Wee Ang, Yong-Wei Zhang
Jazyk:	angličtina
Rok vydání:	2024
Předmět:	2D materials Memristors Memtransistors Crossbar array In-memory computing Technology
Zdroj:	Nano-Micro Letters, Vol 16, Iss 1, Pp 1-30 (2024)
Druh dokumentu:	article
ISSN:	2311-6706 2150-5551
DOI:	10.1007/s40820-024-01335-2
Popis:	Highlights State-of-the-art research on two-dimensional material-based memristive arrays is comprehensively reviewed. Critical steps in achieving in-memory computing are identified and highlighted, covering material selection, device performance analysis, and array structure design. Challenges in progressing from single-device characterization to array-level and system-level implementations are discussed, along with proposed solutions.
Databáze:	Directory of Open Access Journals
Externí odkaz:	https://doaj.org/article/13b93b7e33cb4db2bed9d73fb09400b5 Zobrazit plný text záznamu View record in DOAJ Plný text ve formátu PDF Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.