Thickness-Dependent Structural and Electrical Properties of WS2 Nanosheets Obtained via the ALD-Grown WO3 Sulfurization Technique as a Channel Material for Field-Effect Transistors

Autor: Roman I. Romanov, Maxim G. Kozodaev, Anna G. Chernikova, Ivan V. Zabrosaev, Anastasia A. Chouprik, Sergey S. Zarubin, Sergey M. Novikov, Valentyn S. Volkov, Andrey M. Markeev
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2021
Předmět:
Zdroj: ACS Omega, Vol 6, Iss 50, Pp 34429-34437 (2021)
Druh dokumentu: article
ISSN: 2470-1343
DOI: 10.1021/acsomega.1c04532
Databáze: Directory of Open Access Journals