InGaAsP／InP异质结构材料组分及结构的XPS测定
| Autor: | 王典芬, 丁国庆 |
|---|---|
| Jazyk: | čínština |
| Rok vydání: | 1996 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | Guangtongxin yanjiu, Vol , p 0 (1996) |
| Druh dokumentu: | article |
| ISSN: | 1005-8788 25644459 |
| Popis: | 采用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）对ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ异质结构ＭＯＣＶＤ外延晶片作了表面薄层元素、组分定性、定量和深度分布分析。利用ＸＰＳ组分定量数据与带隙和组分量数据与晶体常数的经验公式计算带隙、晶格常数和失配率，并与光压谱（ＰＶＳ）测定的带隙值和Ｘ射线双晶衍射（ＤＣＤ）测定的失配率作了比较，比较结果是满意的。实验和分析表明，在研究ＭＯＣＶＤ外延膜材料表面组分和表面点阵结构方面，ＸＰＳ比经典的（主要作为体相分析技术）ＸＲＤ技术更为优越 |
| Databáze: | Directory of Open Access Journals |
| Externí odkaz: |
|