Tailoring Threshold Voltages of Printed Electrolyte-Gated Field-Effect Transistors by Chromium Doping of Indium Oxide Channels

Autor: Felix Neuper, Abhinav Chandresh, Surya Abhishek Singaraju, Jasmin Aghassi-Hagmann, Horst Hahn, Ben Breitung
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2019
Předmět:
Zdroj: ACS Omega, Vol 4, Iss 24, Pp 20579-20585 (2019)
Druh dokumentu: article
ISSN: 2470-1343
DOI: 10.1021/acsomega.9b02513
Databáze: Directory of Open Access Journals