Erratum: 'Mechanism of the performance improvement of TiO2-x-based field-effect transistor using SiO2 as gate insulator' [AIP Advances 1, 032167 (2011)]
| Autor: | Ni Zhong, Hisashi Shima, Hiro Akinaga |
|---|---|
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2011 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | AIP Advances, Vol 1, Iss 4, Pp 049902-049902-1 (2011) |
| Druh dokumentu: | article |
| ISSN: | 2158-3226 |
| DOI: | 10.1063/1.3660334 |
| Databáze: | Directory of Open Access Journals |
| Externí odkaz: |
|