Determination of the Degree of Homogeneity for n-Ge Crystals by Measurements of Magnetoresistance in Classically Weak Magnetic Fields
| Autor: | Gaidar, G. P., Baranskii, P. I. |
|---|---|
| Jazyk: | ukrajinština |
| Rok vydání: | 2016 |
| Zdroj: | Physics and Chemistry of Solid State; Vol 16, No 3 (2015); 469-474 Фізика і хімія твердого тіла; Vol 16, No 3 (2015); 469-474 |
| Popis: | In a wide range of values of the resistivity 0.0212 £ r £ 35 Ohm×cm for n-Ge crystals with known crystallographic orientation the ratio M100 2 100 1 M100 2 1 M110 110 M110 º = º , which was predicted by the theory, was experimentally confirmed. The experimentally measured deviations from the relationship M100 2 1 M110 = , which are associated with the heterogeneity of the crystals, it is proposed to use for qualitative assessment of the degree of heterogeneity in the spatial distribution of dopants in the samples. Keywords: germanium, degree of homogeneity, resistivity, magnetic field, magnetoresistance. У широкому інтервалі значень питомого опору 0,0212 £ r £ 35 Ом×см на кристалах n-Ge відомої кристалографічної орієнтації експериментально підтверджено передбачуване теорією співвідношення 110 1 1 100 M MMM 110 110 100 100 2 2 º = º . Запропоновано використовувати експериментально вимірювані відхилення від співвідношення 1 M M 110 100 2 = , які пов'язані з неоднорідністю кристалів, для якісної оцінки ступеня неоднорідності у просторовому розподілі легуючих домішок у досліджуваних зразках. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|