Preparation and luminescent properties of zinc sulfoselenide thin films
| Autor: | Slyotov, M. M., Slyotov, O. M. |
|---|---|
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2020 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | Physics and Chemistry of Solid State; Vol 20, No 4 (2019); 354-359 Фізика і хімія твердого тіла; Vol 20, No 4 (2019); 354-359 |
| Popis: | The preparation of zinc sulfoselenide heterolayers is considered. The possibility of obtaining a hexagonal modification of the crystal lattice by the method of isovalent substitution was shown. The λ-modulated optical reflection was studied and the parameters of the energy structure of α-ZnSe, α-ZnS, α-ZnS0.45Se0.55 were determined. It has been established that the obtained heterolayers are characterized by intense photoluminescence with a quantum yield η = 8–12% in the blue-violet region. It is formed by constituent bands, the nature of which is determined by the annihilation of bound excitons and interband transitions of free charge carriers. It is shown that the selection of temperature regimes allows obtaining radiation with ħωm maxima in the violet 2.80 eV, blue 2.70 eV and green 2.45 eV spectral regions. It is determined by the generation-recombination transitions involving donor and acceptor states formed by intrinsic point defects of the crystalline lattice V*(Se), V'(Zn) and Zni, respectively. The models of radiative recombination are discussed. Розглядається отримання гетерошарів сульфоселенідів цинку. Показано можливість отримання гексагональної модифікації кристалічної гратки методом ізовалентного заміщення. Досліджено λ-модульоване оптичне відбивання і визначено параметри енергетичної структури α-ZnSe, α-ZnS, α-ZnS0,45Se0,55. Встановлено, що отриманим гетерошарам властива інтенсивна фотолюмінесценція з квантовим виходом η = 8-12 % у синьо-фіолетовій області. Вона формується складовими смугами, природа яких визначається анігіляцією зв’язаних екситонів і міжзонними переходами вільних носіїв заряду. Показано, що добір температурних режимів дозволяє отримати випромінювання з максимумами ħωm у фіолетовій 2,80 еВ, синій 2,70 еВ і зеленій 2,45 еВ областях спектру. Воно визначається генераційно-рекомбінаційними переходами за участю донорних і акцепторних станів утворених власними точковими дефектами кристалічної гратки V*(Se), V'(Zn) і Zni відповідно. Обговорюються моделі випромінювальної рекомбінації. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|