Formation of the Sputtered Phase of PbTe Crystals by Ar+ Plasma and Re-deposition of the Sputtered Species at Secondary Neutral Mass Spectrometry Conditions
| Autor: | Zayachuk, D. M., Slynko, V. E., Csik, A. |
|---|---|
| Jazyk: | ukrajinština |
| Rok vydání: | 2018 |
| Zdroj: | Physics and Chemistry of Solid State; Vol 18, No 1 (2017); 21-28 Фізика і хімія твердого тіла; Vol 18, No 1 (2017); 21-28 |
| Popis: | Formation of the Pb and Te sputtered phase under exposure of the lateral surface of PbTe crystals grown from melt by the Bridgman method by Ar+ plasma at Secondary Neutral Mass Spectrometry (SNMS) conditions and re-deposition of the sputtered species on the sputtering crystal surface are investigated. Experimental evidence of mutual influence of the sputtering and re-deposition processes on each other during prolonged depth profiling of PbTe crystals is presented. Sputtering of the PbTe crystal surface forms the strongly supersaturated sputtered phase of Pb and Te. Re-deposition of the Pb and Te sputtered atoms on the crystal surface results in oscillations of sputtering rate of PbTe crystal and changes of average intensity of Pb and Te sputtering over sputtering time. A possible role of both the sub-critical nuclei of newly re-deposited phase and the re-deposited surface structures of post-critical sizes in generation of the features of PbTe crystal sputtering is discussed. It is concluded that formation and re-sputtering of the sub-critical nuclei of re-deposited phase leads to the oscillations of sputter yields of Pb and Te. Growth and re-sputtering of the re-deposited surface structures of post-critical sizes lead to changes of average values of Pb and Te sputter yields. Keywords: Sputtering; Re-deposition; Nucleation; Semiconducting lead compounds. Досліджено формування фази розпорошення та переосадження розпорошених Pb і Te приопроміненні іонами Ar+ в умовах вторинної нейтральної масспектрометрії бічних поверхонь кристалівPbTe, вирощених з розплаву методом Бріджмена. Наведено експериментальні докази взаємного впливуодин на одного цих процесів підчас профілювання вглиб кристалів PbTe. Розпорошення кристалічноїповерхні PbTe формує сильно пересичену фазу розпорошених Pb і Te. Переосадження розпорошенихатомів Pb і Тe на поверхню кристалу РbТе, що розпорошується, веде до коливань у часі швидкостірозпорошення кристалу, а також змін середніх інтенсивностей розпорошення Pb і Te. Обговоренаможлива роль докритичних зародків переосаджуваної фази і її поверхневих структур посткритичнихрозмірів у формуванні особливостей розпорошення кристалів PbTe. Зроблено висновок, що формування іповторне розпорошення докритичних зародків переосаджуваної фази веде до коливань в часі виходіврозпорошення Pb і Тe. Ріст і повторне розпорошення переосаджених поверхневих структурпосткритичних розмірів спричиняє зміни середніх значень виходів розпорошення Pb і Te з часом.Ключові слова: розпорошення,переосадження,зародкоутворення,напівпровідникові сполуки свинцю. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|