Investigation of structural, energy state and kinetic characteristics of RNiSb semiconductor (R = Gd, Lu)
| Autor: | Romaka, L. P., Romaka, V. V., Stadnyk, Yu. V., Krayovskyy, V. Ya., Kaczorowski, D., Нoryn, A. M. |
|---|---|
| Jazyk: | ukrajinština |
| Rok vydání: | 2017 |
| Zdroj: | Physics and Chemistry of Solid State; Vol 17, No 1 (2016); 37-42 Фізика і хімія твердого тіла; Vol 17, No 1 (2016); 37-42 |
| Popis: | The features of structural, energy state and kinetic characteristics of the p-GdNiSb and p-LuNiSb semiconductors were investigated in the temperature range T = 4.2-400 K. As example, in p-LuNiSb, the generating of structural acceptor defects as a result of the emergence of vacancies upto 6 % in the 4c positions of Ni (3d84s2) atoms and partial, up to 1.35 %, substitution of Ni (4c) atoms by Lu (5d16s2) ones was shown. Keywords: crystal structure, electronic structure, electrical conductivity, thermopower. Досліджено особливості структурних, енергетичних та кінетичних характеристик напівпровідників р-GdNiSb та р-LuNiSb у діапазоні температур Т = 4,2 - 400 К. На прикладі р-LuNiSb показано механізм генерування структурних дефектів акцепторної природи як результат появи у позиції 4c атомів Ni (3d84s2) до 6 % вакансій та часткового, до 1,35 %, витіснення атомів Ni(4с) атомами Lu (5d16s2). Ключові слова: кристалічна та електронна структури, електропровідність, коефіцієнт термо-ерс. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|