Improved Performance of Micron and Submicron Gate GaAs-MESFETs due to High Electron Concentrations (n = 1018cm-3) in the Channel
| Autor: | Daembkes, Heinrich, Brockerhoff, Wolfgang, Heime, Klaus |
|---|---|
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 1983 |
| Předmět: | |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|