Metalorganic vapour phase epitaxy growth of InP-based heterojunction bipolar transistors with carbon doped InGaAs base using tertiarybutylarsine and tertiarybutylphosphine in N₂ ambient
| Autor: | Keiper, Dietmar, Velling, Peter, Prost, Werner, Agethen, Michael, Tegude, Franz-Josef, Landgren, Gunnar |
|---|---|
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2000 |
| Předmět: | |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|