Thermally stable iridium contacts to highly doped p-In₀:₅₃Ga₀:₄₇As for indium phosphide double heterojunction bipolar transistors
| Autor: | Brahem, Mohamed, Mogilatenko, Anna V., Stoppel, Dimitri, Berger, Dirk, Hochheim, Stefan, Rentner, D., Ostermay, Ina, Reiner, Maria, Boppel, Sebastian, Nosaeva, Ksenia S., Weimann, Nils |
|---|---|
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2019 |
| Předmět: | |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|