Sn/p-Si Schottky Kontaklarda Elektriksel Karakteristiklerin Belirlenmesinde Frekans Optimizasyonu
| Autor: | ÖZMENTEŞ, Reşit, TEMİRCİ, Cabir |
|---|---|
| Jazyk: | turečtina |
| Rok vydání: | 2017 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | Volume: 23, Issue: 1 48-59 Yüzüncü Yıl Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi |
| ISSN: | 1300-5413 2667-467X |
| Popis: | Sn/p-Si Schottky kontakları üretildi. Numunelerin Akım-Voltaj (I-V), Kapasitans-Voltaj (C-V) ve Kapasitans-frekans (C-f) ölçümleri karanlıkta ve oda sıcaklığında alındı. Numunelerin idealite faktörleri (n) ve engel yükseklikleri (Φb) doğru beslem akım-voltaj (I-V) karakteristiklerinden ve ayrıca sonuçların uyumluluğunu kontrol etmek için Cheung Fonksiyonlarından hesaplandı. Numunelerin seri dirençleri (Rs) Cheung Fonksiyonlarından belirlendi. Diyot A’nın 100 kHz-20 MHz frekans aralığında C-V karakteristiklerinden difüzyon potansiyelini hesaplayarak, difüzyon potansiyeli-frekans değişimi gözlendi. İlave olarak, aynı numunenin 1 MHz, 5 MHz, 10 MHz, 15 MHz ve 20 MHz frekans değerlerinde C-V karakteristikleri kullanılarak engel yükseklikleri hesaplandı. Ölçümler ve hesaplamalar neticesinde, numunelerin engel yüksekliklerinin 1 MHz’den 5 MHz’e kadar çok az arttığı, ancak 5 MHz’den 20 MHz’e kadar sürekli olarak düştüğü tespit edildi. Elde edilen verilerden, üretilen Schottky diyotların engel yüksekliğini belirlemede C-V ölçümleri uygun bir frekansta alınırsa, C-V ve I-V verilerinden elde edilen engel yüksekliği değerlerinin, birbirleri ile iyi bir uyum içinde olacağı görüldü |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|