Забезпечення екологічної безпеки шляхом використання пористих напівпровідників для сонячної енергетики
| Autor: | Suchikova, Yana |
|---|---|
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2016 |
| Předmět: |
наноструктурированные полупроводники
фотоэлектрические преобразователи энергии экологическая безопасность наноструктуровані напівпровідники фотоелектричні перетворювачі енергії екологічна безпека електрохімічне травлення багаторівнева декомпозиція пористі шари nanostructured semiconductors photoelectric modifiers of energy ecological safety electrochemical etching multilevel decomposition porous layers UDC 621.315.592 |
| Zdroj: | Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 6, № 5 (84) (2016): Applied physics. Materials Science; 26-33 Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 6, № 5 (84) (2016): Прикладная физика. Материаловедение; 26-33 Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 6, № 5 (84) (2016): Прикладна фізика. Матеріалознавство; 26-33 |
| ISSN: | 1729-3774 1729-4061 |
| Popis: | The paper considers the ways of provision of environmental safety. A scheme of multilevel decomposition of the problems of provision of environmental safety through the use of innovative technologies for solar energy sector is presented. It is demonstrated that it is possible to increase efficiency of photoelectric modifiers of energy through the use of nanostructured semiconductors. The possibilities of minimizing the reflection ability (due to catching light in pores), an increase in the width of the restricted band of porous layer (due to quantum retaining of charges in microcrystallites) due to changing the porosity allow the use of layers of porous semiconductor both as anti-reflecting coating and as a broadband photosensitive layer. Under condition of using nanostructured semiconductors, the sensitivity of solar panels to the surface contamination decreases greatly. The economic benefits of using porous silicon in solar power include low cost of an area unit of a solar battery, which is provided for by the cost parameters of basic technology for manufacturing porous material. The method of electrochemical etching of nanostructures was used to obtain nanostructures. Basic regularities of the formation of porous layer at the surface of semiconductors of the A3V5 group and silicon were established. Technological conditions are selected individually for each semiconductor. The establishment of these regularities allows the optimization of the etching process and the fabrication of porous layers with the assigned parameters. Представлена схема многоуровневой декомпозиции задач обеспечения экологической безопасности путем использования инновационных технологий для солнечной энергетики. Показано, что повышение КПД фотоэлектрических преобразователей энергии становится возможным за счет использования наноструктурированных полупроводников. Для получения наноструктур использовали метод электрохимического травления Представлено схему багаторівневої декомпозиції задач забезпечення екологічної безпеки шляхом використання інноваційних технологій для сонячної енергетики Показано, що підвищення ККД фотоелектричних перетворювачів енергії стає можливим за рахунок використання наноструктурованих напівпровідників. Для отримання наноструктур використовували метод електрохімічного травлення |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|