LESSONS OF NANOELECTRONICS: CURRENT GENERATION, OHM’S LAW FORMULATION AND CONDUCTION MODES IN «BOTTOM–UP» APPROACH

Jazyk: ukrajinština
Rok vydání: 2012
Předmět:
наноелектроніка
молекулярна електроніка
знизу-вгору
електричний струм
електрохімічний потенціал
функція Фермі
пружний резистор
моди провідності
закон Ома
провідники n-типу
провідники р-типу
графен
nanoelectronics
molecular electronics
bottom-up
electric current
electrochemical роtential
Fermi function
elastic resistor
conductivity modes
Ohm’s law
n-type conductors
p-type conductors
graphene
наноэлектроника
молекулярная электроника
снизу-вверх
электрический ток
электрохимический потенциал
функция Ферми
упругий резистор
моды проводимости
проводники n-типа
проводники p-типа
Condensed Matter::Mesoscopic Systems and Quantum Hall Effect
Zdroj: Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 9, № 4 (2012)
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 9, № 4 (2012)
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 9, № 4 (2012)
ISSN: 1815-7459
2415-3508
Popis: General questions of electronic conductivity, current generation based on the use of electrochemical роtentials and Fermi functions, elastic resistor model, ballistic and diffusion transport, conductivity modes, n- and p-conductors and graphene, new formulation of Ohm's law are ower-viewed in the frame of «bottom–up» арproach, widely applied in modern nanoelectronics.
В рамках концепции «снизу–вверх», широко применяемой в теоретической и прикладной наноэлектронике, дан обзор общих вопросов электронной проводимости, причин возникновения тока и роли электрохимических потенциалов и фермиевских функций в этом процессе, модели упругого резистора, баллистического и диффузионного транспорта, мод проводимости, проводников n- и p-типа и графена и обоснована новая формулировка закона Ома.
В рамках концепції «знизу–вгору», що широко застосовується в теоретичній і прикладній наноелектроніці, дано огляд загальних питань електронної провідності, причин виникнення струму та ролі електрохімічних потенціалів і фермівських функцій в цьому процесі, моделі пружного резистора, балістичного і дифузійного транспорту, мод провідності, провідників n- і p-типу та графену, обґрунтовано альтернативне формулювання закону Ома.
Databáze: OpenAIRE
Externí odkaz: