Модели параметров полупроводниковой структуры с p-n переходом основанные на применении функций Бесселя
| Jazyk: | ruština |
|---|---|
| Rok vydání: | 2011 |
| Předmět: |
одно- та двочастотне гармонійне малосигнальне напруга
imaginary Bessel function argument semiconductor structure with p-n junction полупроводниковая структура с p-n переходом harmonic current on the difference frequency інформативні електрофізичні параметри гармонический ток на разностной частоте informative electrophysical parameters гармонійний струм на різницевий частоті функция Бесселя мнимого аргумента one- and two-frequency harmonic low-signal voltage функція Бесселя уявного аргументу одно- и двухчастотное гармоническое малосигнальное напряжение информативные электрофизические параметры напівпровідникова структура з p-n переходом |
| Zdroj: | Electronics and Communications; Vol. 16 No. 3 (2011); 28-31 Электроника и Связь; Том 16 № 3 (2011); 28-31 Електроніка та Зв'язок; Том 16 № 3 (2011); 28-31 |
| ISSN: | 1811-4512 2312-1807 |
| DOI: | 10.20535/2312-1807.2011.16.3 |
| Popis: | The models for informative electrophysical parameters determination in semiconductor structure with p-n junction were offered. These models take into account leakage current through a resistance that parallel p-n junction. The models were based on small-signal harmonic one- and two-frequency operation Предложены модели для определения информативных электрофизических параметров полупроводниковой структуры с p-n переходом (ПС), учитывающие токи утечки через сопротивление параллельное p-n переходу. Они основаны на одно- и двухчастотном гармоническом малосигнальном воздействии на ПС Запропоновано моделі для визначення інформативних електрофізичних параметрів напівпровідникової структури з p-n переходом (ПС), що враховують струми витоку через опір паралельне p-n переходу. Вони засновані на одно- та двочастотному гармонійному малосигнальному вплив на ПС |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|