Структура и фотоэлектрические свойства кристаллов PbGa2S4 и PbGa2Se4
| Autor: | Bletskan, D. I., Voroshilov, Yu. V., Durdinets, I. M., Kabacij, V. M., Holovey, V. M. |
|---|---|
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 1999 |
| Zdroj: | Scientific Herald of Uzhhorod University.Series Physics; Том 4 (1999); 168-176 Научный вестник Ужгородского университета. Серия Физика; Том 4 (1999); 168-176 Науковий вісник Ужгородського університету. Серія Фізика; Том 4 (1999); 168-176 |
| ISSN: | 2415-8038 |
| Popis: | Optically homogeneous bulk crystals of PbGa2S4 and PbGa2Se4 were obtained by the Bridgmen-Stocbarger technique X-ray diffraction study confirmed them to belong rhombotedral syngony. The basic structural units of PbGa2S4 and PbGa2Se4 are [GaX4] tetrahedra and tetrahonal antiprisms [PbX8] (where X=S, Se). Complex study of electric conductivity, thermally stimulated conductivity, PC spectra, temperature dependence of photoconductivity of wide-band triple crystals of PbGa2X4 have been conducted for the first time. This allowed to reveal and to determine the main parameters of trapping centers and recombination centers. Методом Бриджемена-Стокбаргера получены оптически однородные кристаллы PbGa2S4 и PbGa2Se4, рентгеноструктурные исследования которых подтвердили принадлежность их к ромбической структуре. Основными структурными элементами строения PbGa2S4 и PbGa2Se4 являются тетраэдры [GaX4] и тетрагональные антипризмы [PbX8], (где X=S, Se). Структура кристаллов относится к структурному типу SrIn2Se4, производному от TlSe. Проведено комплексное исследование электропроводности, термостимулированной проводимости, спектров фотопроводимости и температурной зависимости фотопроводимости широкозонных тройных кристаллов PbGa2X4, что позволило выявить и определить основные параметры центров прилипания и рекомбинации. В спектрах фотопроводимости проявляются как собственные, так и примесные полосы, энергетическое положение и интенсивность которых существенно меняется с изменением температуры. Замещение S на Se в тройных соединениях PbGa2X4 сопровождается увеличением электропроводности и уменьшением ширины запрещенной зоны. Методом Бріджемена-Стокбаргера одержані оптично однорідні кристали PbGa2S4 і PbGa2Se4, рентгеноструктурні дослідження яких підтвердили належність їх до ромбічної структури. Основними структурними елементами будови PbGa2S4 і PbGa2Se4 є тетраедри [GaX4] і тетрагональні антипризми [PbX8], (де X=S, Se). Структура кристалів належить до структурного типу SrIn2Se4, похідного від TlSe. Проведено комплексне дослідження електропровідності, термостимульованої провідності, спектрів фотопровідності і температурної залежності фотопровідності широкозонних потрійних кристалів PbGa2X4, що дозволило виявити та визначити основні параметри центрів прилипання та рекомбінації. В спектрах фотопровідності проявляються як власні, так і домішкові смуги, енергетичне положення та інтенсивність яких істотно змінюється із зміною температури. Заміщення S на Se в потрійних сполуках PbGa2X4 супроводжується збільшенням електропровідності і зменшенням ширини забороненої зони. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|