Рекордная эффективность солнечных батарей на варизонных тринитридах квантовых энесторов-зонисторов

Autor: Osinsky, Andrii Volodymyrovych, Diahiliev, Andrii Volodymyrovych, Borysov, Oleksandr Vasylovych, Liakhova, Nataliia Mykolaivna, Onachenko, Marat Serhiiovych, Sukhovii, Nina Olehivna, Masol, Ihor Vitaliiovych, Osinsky, Volodymyr Ivanovych
Jazyk: ruština
Rok vydání: 2018
Předmět:
Zdroj: Microsystems, Electronics and Acoustics; Том 23, № 5 (2018); 6-16
Микросистемы, Электроника и Акустика; Том 23, № 5 (2018); 6-16
Мікросистеми, Електроніка та Акустика; Том 23, № 5 (2018); 6-16
ISSN: 2523-4447
2523-4455
Popis: This paper discusses the use of solid solutions of multicomponent semiconductors for solar energy converted and storage devices in some structural and technological formation options suitable for monolithic integration. The eight-component system under consideration makes it possible to obtain varizon layers from Eg = 6.4 eV (AlN) to Eg = 0.18 eV (InSb) with any set of heterogeneous macro-, micro- and nanosized LED (laser) structures, which allows conduct classical sequential and parallel electronic and optical processing of information, and convert photon fluxes into electric current and accumulate electrical energy in potential wells in the same chip. In this case, the entire spectrum of solar electromagnetic radiation from 200 nm (ultraviolet) to infrared radiation of 12000 nm is used, which is effectively absorbed in the gap layer practically without loss of energy transfer to one or several narrow-band regions specially created by the program in the epitaxy of the varizon layers.The article analyzes examples of the implementation of some heterostructures for converting solar energy into electrical energy, such as AlGaAsSb / GaSb and GaInAsP / InP. The options for optimizing the luminous flux and resistance of contacts in graded-gap construction are considered using the example of an optoelectronic converter. The constructive use of rektenna for energy conversion is considered. The possibilities of using III-nitrides and nanocarbonitrides for energy storage layers of enestors are analyzed. For the formation of optimal nano-templates, as it was established in the course of studies of a simplified model of the process of defect formation, with radii of nano-creations of less critical, dislocation can be achieved with any thickness of the nanotemple. In this case, the curves of the conditionally dislocation-free relief are dominated by three-dimensional limiting effects.Thus, thermodynamic parameters (temperature, pressure) and precursors were experimentally determined in terms of studies of nanocarbide processes in MOСVD epitaxy III-nitrides on nanoparticles of sapphire, in which self-formation of consolidated nanocarbides is realized for layers of energy accumulation on the basis of which, at the present time, the Research Institute of Micro Devices NASU continues research on working out and bringing to the industrial sample the technology of a super capacitor in an enestor chip.These studies and practical developments have demonstrated the great potential of zonistor heterogeneous structures on Iii-nitrides for highly efficient transformation and accumulation of solar radiation energy. The developed gas-phase technology of selective epitaxy makes it possible to obtain defect-free heterostructures, which ensures a high quantum yield of conversion of the whole broad spectrum of solar radiation into electric current and accumulate its energy in one integrated structure. The high quantum yield of the photoelectric effect in nanostructures of solid solutions of the BAlGaInNPAsSb system compensates for technological costs and significantly changes the very paradigm of not only providing energy to electronic functional devices, but also makes it possible in principle to develop a new perspective energy resource for many applications.Ref. 18, fig. 9, tabl. 1.
Розроблена нова квантова оптимізація накопичення енергії випромінювання Сонця в енесторах на багатокомпонентних твердих розчинах А3В5: BAlGalnNPAsSb.Розглядаються наступні методи збільшення ефективності сонячних батарей: 1. Накопичення носіїв у глибоких потенціальних ямах і квантових точках; 2. Посилення струму, кероване класичними кремній-транзисторними і квантовими процесорами; 3. Квантові обчислення оптимальних потоків електронів, які утворюють квантово-розмірні куперовские пари, аналогічно високотемпературній надпровідності; 4. Варізонне та гетерогенне розширення спектра поглинання випромінювання Сонця; 5. Бездефектні узгоджувальні темплетні гетерошари в селективній наноепітаксії; 6. Інтеграція випрямлення НВЧ терагерцових сигналів у нанопористих структурах ректен терагерцового діапазону; 7. Накопичення енергії в графенових суперконденсаторах, отриманих у самоорганізованих нанопорах Al2O3; 8. Збільшення поглинання фотонів вертикальними стінками нанопор частково епітаксійно зарощенними основним матеріалом кремнієм або твердими розчинами А3В5.Розроблені технології дають змогу істотно, в 2–5 разів, збільшити енергетичну ефективність сонячних батарей на Si / III-нітридних наноструктурах.Бібл. 18, рис. 9, табл. 1.
Разработана новая квантовая оптимизация накопления энергии излучения Солнца в энесторах на многокомпонентных твердых растворах А3В5: BAlGalnNPAsSb.Рассматриваются следующие методы увеличения эффективности солнечных батарей: 1. Накопление носителей в глубоких потенциальных ямах и квантовых точках; 2. Усиление тока, управляемое классическими кремний-транзисторными и квантовыми процессорами; 3. Квантовые вычисления оптимальных потоков электронов, которые образуют квантово-размерные куперовские пары, аналогично высокотемпературной сверхпроводимости; 4. Варизонное и гетерогенное расширение спектра поглощения излучения Солнца; 5. Бездефектные согласующие темплетные гетерослои в селективной наноэпитаксии; 6. Интеграция выпрямления СВЧ терагерцовых сигналов в нанопористых структурах ректен терагерцового диапазона; 7. Накопление энергии в графеновых суперконденсаторах, полученных в самоорганизованных нанопорах Al2O3; 8. Увеличение поглощения фотонов вертикальными стенками нанопор частично эпитаксиально зарощенными основным материалом кремнием или твёрдыми растворами А3В5.Разработанные технологии позволяют существенно, в 2–5 раз, увеличить энергетическую эффективность солнечных батарей на Si/III-нитридных наноструктурах.Библ. 18, рис. 9, табл. 1.
Databáze: OpenAIRE
Externí odkaz: