Аналіз технології виготовлення високотемпературного мікрополоскового надпровідного пристрою електромагнітного захисту приймачів

Autor: Fyk, Oleksandr, Kucher, Dmytro, Kucher, Larisa, Gonchar, Roman, Antonetsʹ, Volodymyr, Fyk, Mykhailo, Besedin, Yuri
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2018
Předmět:
Zdroj: Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 5, № 12 (95) (2018): Materials Science; 38-47
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 5, № 12 (95) (2018): Материаловедение; 38-47
Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 5, № 12 (95) (2018): Матеріалознавство; 38-47
ISSN: 1729-3774
1729-4061
Popis: Technological features of the process of manufacturing a high-speed high-temperature superconducting microstrip protective device which can reduce in a picosecond period (the time of switching or operation speed) the incoming power from the antenna-feeder path and the power passing through it to a level safe for sensitive semiconductor elements of the receiver (preventing current destruction of p-n junction). The study enables determination of the features and conditions for the use of modern technological methods for creating a superconducting microstrip protective device taking into account influence of the substrate material, superconductor and contacts and the method of their connection on the switching properties of superconducting films of the proposed protective device. The switching properties of superconducting films include speed of phase transition of a film from a superconducting to a nonconducting state. To determine degree of material influence on switching properties, it was proposed to use the following: lattice parameter, thermal expansion coefficient of materials, degree of interaction of molecular structures of the contacting surfaces, probability of local defects on the surface (nonconducting zones). The study outlines basic conditions (methods of film deposition, applying a certain superconducting film (YBCO) on the chosen substrate) which should be met in order to create an operable protective device. The study results make it possible to assess the degree of influence of contact materials and the method of deposition (of both film on the substrate and contacts on the film) on microstructure and switching properties of the superconducting protective device. Such results can be used in synthesis of high-temperature superconducting devices for protecting receiver elements from current destruction of their p–n junctions
Определены технологические особенности процесса изготовления быстродействующего высокотемпературного сверхпроводящего микрополоскового защитного устройства, который способен за пикосекундній промежуток времени (время переключения или быстродействие) снизить поступающую с антенно-фидерного тракта и проходящего сквозь него мощность, до безопасного уровня для чувствительных полупроводниковых элементов приемника (предотвращение токового разрушения p-n перехода)). Исследования позволяют определить особенности и условия использования современных технологических методов по созданию сверхпроводящего микрополоскового защитного устройства с учетом влияния материала подложки, сверхпроводника, контактов и метода их соединения на переключающие свойства сверхпроводящих пленок предложенного защитного устройства. К переключающим свойствам сверхпроводящих пленок следует отнести: скорость фазового перехода пленки из сверхпроводящего в непроводящее состояник. Для определения степени влияния материала на переключающие свойства предлагается использовать: параметр кристаллической решетки, коэффициент теплового расширения материалов, степень взаимодействия молекулярных структур контактирующих поверхностей, вероятность возникновения локальных дефектов на поверхности ( зон непровидности). В работе обозначены основные условия (способы нанесения плвкы, нанесение определенной сверхпроводящей пленки (YBCO) на выбранную подложку, которые следует выполнять для создания работоспособного защитного устройства. Результаты работы позволяют оценить степень влияния материалов контактов, метода нанесения на микроструктуру (как пленки на подложку, так и контактов на пленку) на переключающие свойства защитного сверхпроводящего защитного устройства . Такие результаты могут быть использованы при синтезе высокотемпературных сверхпроводящих быстродействующих устройств защиты элементов приемников от токового разрушения их p-n переходов
Встановлені технологічні особливості процесу виготовлення швидкодійного високотемпературного надпровідного мікрополоскового захисного пристрою, який здатен за пікосекундний проміжок часу (час переключення або швидкодійність) обмежити потужність що проходить скрізь нього з антенно-фідерного тракту до безпечного рівня для чутливих напівпровідникових елементів приймача (запобігання струменевого руйнування p-n переходу). Дослідження дозволяють визначити особливості та умови використання сучасних технологічних методів що до створення надпровідного мікрополоскового захисного пристрою з урахуванням впливу матеріалу підкладки, надпровідника, контактів та методу их з’єднання на переключаючі властивості надпровідних плівок захисного пристрою. До переключаючих властивостей надпровідних плівок відноситься: швидкість фазового переходу з надпровідного в непроводящее стан.Для визначення ступеню впливу матеріалу на переключаючі властивості пропонується використати: параметр кристалічної решітки, коефіцієнт теплового розширення матеріалів, ступінь взаємодії молекулярних структур контактнучих поверхонь, ймовірність виникнення локальних дефектів на поверхні (зон непровідності). У роботі окреслені основні умови(способи нанесення плвки, нанесення визначеної надпровідної плівки(YBCO) на обрану підкладку, які слід виконувати для створення працездатного захисного пристрою.. Результати роботи дозволяють оцінити ступінь впливу матеріалів контактів, методу нанесення на мікроструктуру(як плівку на підкладку, так і контактів на плівку) на переключаючи властивості захисного над провідникового захисного пристрою.. Такі результати можуть бути використані при синтезі високотемпературних надпровідних швидкодіючих пристроїв захисту елементів приймачів від токового руйнування p-n переходів
Databáze: OpenAIRE
Externí odkaz: