Comparison of efficiency recombination of nonequilibrium carriers in structures with quantum dots and quantum wells, grown by mocvd

Autor: Avksentyev, Yu., Parfenuk, P.
Jazyk: ruština
Rok vydání: 2014
Předmět:
Zdroj: Electronics and Communications; Том 19, № 2 (2014); 30-35
Электроника и Связь; Том 19, № 2 (2014); 30-35
Електроніка та Зв'язок; Том 19, № 2 (2014); 30-35
ISSN: 1811-4512
2312-1807
Popis: В статье приводятся результаты сравнения эффективности рекомбинации неравновесных носителей в InGaN квантовых точках (QDs) и квантовых ямах (QWs), излучающих в зеленом диапазоне спектра. Результаты оптических исследований с использованием температурно-зависимой фотолюминесценции (PL) показали, что внутренняя квантовая эффективность InGaN квантовых точек при комнатной температуре была в 8,7 раза больше, чем полученная для InGaN квантовых ям из-за лучшей пространственной локализации электрически заряженных частиц. Результаты измерений спектров фотолюминесценции при различных уровнях лазерного возбуждения показали, что влияние поляризационно-встроенных электрических полей на рекомбинационные процессы электрически заряженных частиц в кантовых точках ничтожно малы по сравнению с квантовыми ямами. Полученные результаты показывают, что InGaN квантовые точки улучшают эффективность люминесценции светодиодов в зеленом и голубом спектральных диапазонах.Библ. 19, рис. 4, табл. 1.
У статті наводяться результати порівняння ефективності рекомбінації нерівноважних носіїв в ІnGa квантових точках (QDs) і квантових ямах (QWs), що випромінюють у зеленому діапазоні спектра. Результати оптичних досліджень із використанням температурно-залежної фотолюмінесценції (PL) показали, що внутрішня квантова ефективність ІnGa квантових точок при кімнатній температурі була в 8,7 рази більше, ніж отримана для ІnGa квантових ям через кращу просторову локалізацію електрично заряджених часток. Результати вимірів спектрів фотолюмінесценції при різних рівнях лазерного збудження показали, що вплив поляризаційно-вбудованих електричних полів на рекомбінаційні процеси електрично заряджених часток у кантових точках мізерно малі в порівнянні із квантовими ямами. Отримані результати показують, що ІnGa квантові точки поліпшують ефективність люмінесценції світлодіодів у зеленому й блакитному спектральному діапазонах.Бібл. 19, рис. 4, табл. 1.
The article presents the results of comparing the efficiency of recombination of nonequilibrium carriers in the InGaN quantum dots (QDs) and quantum wells (QWs), emitting in the green region of the spectrum. Results of studies using optical temperature-dependent photoluminescence (PL) showed that the internal quantum efficiency of the InGaN quantum dots at room temperature was 8.7 times greater than that obtained for the InGaN quantum wells, due to better spatial localization of electrically charged particles. The results of measurements of photoluminescence spectra at different levels of laser excitation showed that the effect of polarization-built electric fields on recombination processes of electrically charged particles in Kant points are negligible compared to the quantum wells. The results show that the InGaN quantum dots improve the luminescence efficiency of the LEDs in green and blue spectral bands.Reference 19, figures 4, tables 1.
Databáze: OpenAIRE
Externí odkaz: