КОМПОЗИТНЫЕ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ С НАНОВКЛЮЧЕНИЯМИ: СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ И ПЕРСПЕКТИВЫ (ОБЗОР)

Jazyk: ukrajinština
Rok vydání: 2013
Předmět:
Zdroj: Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 10, № 4 (2013); 60-80
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 10, № 4 (2013); 60-80
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 10, № 4 (2013); 60-80
ISSN: 1815-7459
2415-3508
Popis: Зроблено огляд робіт, присвячених композитним термоелектричним матеріалам, що функціонують у різних температурних інтервалах: кімнатні (300-400) К (Bi2 Te3 , Bi2 Te3 -Sb2 Te3 ); середньотемпературні (500-700)К (PbTe, Mg2 Si Last, скутерудити, половинні сполуки Гейслера, клатрати); високотемпературні (900-1500)К (Si 1-xGex , La3-xTe4 ). Акцентовано увагу на технологічних особливостях синтезу сполук і приготування термоелектричних структур, аналізі їх будови та термоелектричної добротності. Показано, що введення наночастинок в об’єм основного матеріалу зумовлює значне покращення термоелектричних характеристик. Наведено основні стратегії для подальшого прогресу в термоелектричному матеріалознавстві на основі композитів із нановключеннями
Сделан обзор работ, посвященных композитным термоэлектрическим материалам, которые функционируют в разных температурных интервалах: комнатные (300- 400) К (Bi2 Te3 , Bi2 Te3 -Sb2 Te3 ); средне температурные (500-700) К (PbTe, Mg2 Si Last, скутерудиты, половинные соединения Гейслера, клатраты); высокотемпературные (900-1500) К (Si1-xGex , La3-xTe4 ). Акцентировано внимание на технологические особенности синтеза соединений и приготовления термоэлектрических структур, анализа их строения и термоэлектрической добротности. Показано, что введение наночастиц в объем основного материала приводит к значительному улучшению термоэлектрических характеристик. Приведены основные стратегии для дальнейшего прогресса в термоэлектрическом материаловедении на базе композитов с наночастицами.
A review of works devoted to composites thermoelectrics, operating in different temperature intervals: room (300-400) K (Bi2 Te3 , Bi2 Te3 -Sb2 Te3 ); medium temperature (500-700) K (PbTe, Mg2 Si Last, skuterudyty, Half-Heusler compounds, clathrates), high temperature (900-1500) K (Si1-xGex , La3-xTe4 ). Emphasis on the technological features of the synthesis of compounds and preparation of thermoelectric structures, analysis of their structure and termoelektryrsnoyi merit. It is shown that the introduction of nanoparticles within the scope of the basic material leads to a significant improvement of thermoelectric properties. The basic strategy for further progress in the thermoelectric material.
Databáze: OpenAIRE
Externí odkaz: