Пироотклик в полупроводниках группы АIIIВV в условиях ограничения их деформации
| Autor: | Poplavko, Yurii Myhailovych, Yakimenko, Y. I. |
|---|---|
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2014 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | Electronics and Communications; Том 18, № 6 (2013); 9-15 Электроника и Связь; Том 18, № 6 (2013); 9-15 Електроніка та Зв'язок; Том 18, № 6 (2013); 9-15 |
| ISSN: | 1811-4512 2312-1807 |
| Popis: | Under the anisotropy of boundary conditions, a high-gap III-V semiconductor indicates a behavior of pyroelectric crystal (in spite of it is a piezoelectric only). Partial limitation of strain in the [111]-plate of this crystal provides its substantial electric response to time-variation of temperature dT(t) or pressure dp(t). Herewith the voltage sensitivity of semi-insulating GaAlAs or GaN sensor is close to one of the PZT ceramics. However, PZT cell-transducer used as sensor device needs a hybrid integration with semiconductor amplifier. Unlike of this, if sensor device is based on the III-V crystal, transducer and amplifier are various parts of one crystal chip.References 4, figures 5. Показано, що скалярний тепловий вплив може викликати піроелектрику в п'єзоелектричних класах полярних кристалів, і найважливіше застосування цього ефекту очікується у напівпровідниках-п'єзоелектриках групи АIIIВV. Штучний піроелектричний ефект визначається як механічно індукована поляризація в частково затиснутому п'єзоелектрику, підданому рівномірному нагріванню. Часткове затискання створюється неоднорідними граничними умовами, які обмежують теплову деформацію п'єзоелектричного кристала, забезпечуючи створення в ньому рівномірноале не ізотропно напруженого стану. Обмеження планарною деформації в площині ( 111 ) пластини або мембрани з напівізолюючих кристалів типу АIIIВV відкриває можливості розробки нового типу мікроелектронних датчиків. Вони можуть мати переваги в порівнянні з гібридними «діелектрик- напівпровідник» датчиками і напівпровідниковими датчиками, яким необхідно охолодження. Бібл. 4, рис. 5 Показано, что скалярные тепловое воздействие может вызвать пироэлектричество в пьезоэлектрических классах полярных кристаллов, и самое важное применение этого эффекта ожидается полупроводниках-пьезоэлектриках группы АIIIВV. Искусственный пироэлектрический эффект определяется как механически индуцированная поляризация в частично зажатом пьезоэлектрике, подвергнутому равномерному нагреву. Частичное зажатие создается неоднородными граничными условиями, которые ограничивают тепловую деформацию пьезоэлектрического кристалла, обеспечивая создание в нем равномерного но не изотропного напряженного состояния. Ограничение планарной деформации в плоскости (111) пластины или мембраны из полуизолирующих кристаллов типа АIIIВV открывает возможности разработки нового типа микроэлектронных датчиков. Они могут иметь преимущества по сравнению с гибридными датчиками типа «диэлектрик-полупроводник» и полупроводниковыми датчиками, которым необходимо охлаждение. Библ . 4, рис. 5 |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|