ABOUT THRESHOLD SENSITIVITY OF SILICON MIS PHOTOSENSITIVE SENSORS WITH A NON-EQUILIBRIUM EXHAUSTION
| Autor: | Gorban, A. P., Kostylyov, V. P., Sachenko, A. V., Serba, О. A., Chernenko, V. V. |
|---|---|
| Jazyk: | ukrajinština |
| Rok vydání: | 2017 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 2, № 1 (2005); 46-51 Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 2, № 1 (2005); 46-51 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 2, № 1 (2005); 46-51 |
| ISSN: | 1815-7459 2415-3508 |
| Popis: | Проаналізовані колекторні характеристики кремнієвих МДН фотосенсорів з нерівноважним виснаженням. Теоретично і експериментально показано, що такі фотосенсори мають більш високу порогову фоточутливість, ніж фотосенсори з “металургійними” р-n-переходами. Зроблений висновок про можливість використання кремнієвих МДН структур з нерівноважним виснаженням в якості порогових фотосенсорів, а також в якості порогових детекторів ядерних випромінювань. The collector efficiency of silicon MIS photosensitive sensors with a non-equilibrium exhaustion is analyzed. Theoretically and experimentally is shown that such photosensitive sensors have higher threshold sensitivity than photodiodes based on “metallurgical” p-n-junctions. The conclusion about possibility of application silicon MIS structure with a non-equilibrium exhaustion both as threshold photosensitive sensor and as threshold detector of nuclear radiation is made. Проанализированы коллекторные характеристики кремниевых МДП фотосенсоров с неравновесным истощением. Теоретически и экспериментально показано, что такие фотосенсоры имеют более высокую пороговую фоточувствительность, чем фотосенсоры с “металлургическими” р-n-переходами. Сделан вывод о возможности использования кремниевых МДП структур с неравновесным истощением в качестве пороговых фотосенсоров, а также в качестве пороговых детекторов ядерных излучений. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|