ИССЛЕДОВАНИЕ ПРИЧИН КАТАСТРОФИЧЕСКОЙ ДЕГРАДАЦИИ ПАРАМЕТРОВ КРЕМНИЕВЫХ МОП- ТРАНЗИСТОРОВ

Autor: Kulinich, O., Glauberman, M., Chemeresuk, G., Yatsunsky, I.
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2017
Předmět:
Zdroj: Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 2, № 1 (2005); 85-89
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 2, № 1 (2005); 85-89
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 2, № 1 (2005); 85-89
ISSN: 1815-7459
2415-3508
Popis: The paper is aimed at finding out the causes of the catastrophic degradation of parameters of silicon MOS-transistors, formed by the ordinary planar technology. The basic causes of degradation have been found to be:– thermal compression contacts rupture, which can be explained by formation of intermetallic compounds in the contact area, resulting in brittleness of the contacts,– breaking of the metallic interconnections and contact pads integrity, resulting from inobservance of the photolithography technological conditions as well as from presence of a developed defect structure on the silicon surface and formation of silicide compounds.
Робота присвячена виявленню причин катастрофічної деградації деградації параметрів кремнієвих МОН- транзисторів, які були сформовані за звичайною планарною технологією. Встановлено, що основними причинами деградації є:– обрив термокомпресійних контактів, який можна пояснити виникненням в районі контакту інтерметалевих з’єднань, що приводить до охрупчування контактів;– порушення цільності металевої розводки і контактних площин, виникаючих в наслідок порушення технологічних режимів фотолітографії, а також присутності розвиненої дефектної структури на поверхні кремнію і виникнення сіліцидних сполук.
Работа посвящена выявлению причин катастрофической деградации параметров кремниевых транзисторов, которые были сформированы по обычной планарной технологии. Установлено, что основными причинами деградации являются:– обрыв термокомпрессионных контактов, которые можно объяснить образованием в районе контакта интерметаллических соединений, приводящих к охрупчиванию контактов;– нарушение цельности металлической разводки и контактных площадок, возникающие вследствие нарушения технологических режимов фотолитографии, а также присутствия развитой дефектной структуры на поверхности кремния и образования силицидных соединений.
Databáze: OpenAIRE
Externí odkaz: