Механизмы поляризации в термостабильной БЛТ керамике на сверхвысоких частотах Часть 2: Подавление «мягкой» моды парамагнетизмом
Jazyk: | angličtina |
---|---|
Rok vydání: | 2015 |
Předmět: |
диэлектрическая проницаемость ε
температурный коэффициент диэлектрической проницаемости Ткε термостабильность параэлектрик рутил барийлантаноидный тетратитанат редкоземельный элемент dielectric permittivity ε temperature coefficient of dielectric permittivity TCε thermal stability paraelectric rutile barium-lanthanum tetratitanate rare earth elements діелектрична проникність ε температурний коефіцієнт діелектричної проникності ТКε термостабільність параелектрік барійлантаноідний тетратітанат рідкоземельний елемент |
Zdroj: | Electronics and Communications; Том 20, № 2 (2015) Электроника и Связь; Том 20, № 2 (2015) Електроніка та Зв'язок; Том 20, № 2 (2015) |
ISSN: | 1811-4512 2312-1807 |
Popis: | The objects of study are vacant perovskite-like structures of BaLn2Ti4O12 (BLTs). These polycrystalline dielectrics allocated among many other microwave dielectrics that their permittivity ε is several times higher than in other types of microwave ceramics. Electronic relaxation process with extremely low activation energy has no influence on microwave losses but defines BLTs dielectric thermal stability. Very low relaxation time is due to the nanoscale clusters, electronic by their nature and build-in the BLT structure. Dielectric losses of this type ceramics are associated with structural disordering, especially if the second polar phase is present. References 3, figures 4, tables 2. Об'єктами дослідження є вакансійні перовскітоподібні структури BaLn2Ti4O12 (БЛТ). Ці полікристалічні діелектрики виділяються серед багатьох інших СВЧ діелектриків тим, що їх проникність ε в кілька разів вища, ніж в інших типах СВЧ кераміки. Процес електронної релаксації із вкрай низькою енергією активації не впливає на НВЧ втрати, але визначає термостабільність БЛТ. Час релаксації дуже малий за рахунок нанорозмірних кластерів, електронних за своєю природою і вбудованих в структуру БЛТ. Діелектричні втрати в кераміці цього типу пов'язані зі структурним розупорядкуванням, особливо якщо присутня друга полярна фаза. Бібл. 3, рис. 4, табл. 2. Объектами исследования являются вакансионные перовскитоподобные структуры BaLn2Ti4O12 (БЛТ). Эти поликристаллические диэлектрики выделяются среди многих других СВЧ диэлектриков тем, что их проницаемость ε в несколько раз выше, чем в других типах СВЧ керамики. Процесс электронной релаксации с крайне низкой энергией активации не влияет на СВЧ потери, но определяет термостабильность БЛТ. Время релаксации очень мало за счет наноразмерных кластеров, электронных по своей природе и встроенных в структуру БЛТ. Диэлектрические потери в керамике этого типа связаны со структурным разупорядочением, особенно если присутствует вторая полярная фаза. Библ. 3, рис. 4, табл. 2. |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |