Дослідження впливу гамма-випромінювання на релаксаційний осцилятор на основі одноперехідного транзистору

Autor: Wafaa, Abd El-Basit, Abd El-Maksood, Ashraf Mosleh
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2020
Předmět:
Zdroj: Technology audit and production reserves; Том 4, № 1(54) (2020): Industrial and technology systems; 51-55
Technology audit and production reserves; Том 4, № 1(54) (2020): Виробничо-технологічні системи; 51-55
Technology audit and production reserves; Том 4, № 1(54) (2020): Производственно-технологические системы; 51-55
ISSN: 2664-9969
2706-5448
Popis: The object of this research is all the semiconductor unijunction transistor device (UJT) parameters that affect its operation as 1.67 kHz saw-tooth relaxation oscillator circuit under the influence of gamma-irradiation dose. Relaxation oscillators are widely used in function generators, electronic beepers, inverters, blinkers, and voltage-controlled oscillators. The properties of UJTs are like those of other semiconductor devices are greatly affect by irradiation. Its electrical characteristics and the output voltage waveforms of the relaxation oscillator circuit were investigated and plotted as a function of different gamma-dose levels. The type of semiconductor, the design of the device and the type of radiation are affected the magnitude of this change. Where, it is shown that increasing gamma dose up to 3.0 MGy leads, the peak voltage (VP) to be decreased from 3.71 Volts down to 2.9 Volts, while the valley voltage (VV) to be increases from 1.54 Volts up to 1.89 Volts, leading to a pronounced narrowing on the negative resistance region. As a result, both the output signal voltage amplitude and the frequency of the relaxation oscillator circuit were shown to be functions of the gamma-irradiation dose. Where, the initial values of the output signal voltage amplitude were reported to be 2.54 Volts decreased to the value of 2.13 Volts, while its frequency was 1.67 kHz increased up to 1.85 kHz, respectively, due to gamma-exposure levels up to 3.0 MGy using the GammaCell-220 (National Center for Radiation Research and Technology of Egypt).
Объектом исследования являются параметры полупроводникового однопереходного транзисторного устройства, влияющие на его работу в качестве релаксационного генератора 1,67 кГц под действием дозы гамма-излучения. Релаксационные генераторы широко используются в функциональных генераторах, электронных звуковых сигналах, инверторах, поворотниках и генераторах, управляемых напряжением. Свойства транзисторных устройств аналогичны свойствам других полупроводниковых устройств, на которые сильно влияет облучение. Его электрические характеристики и формы выходного напряжения цепи релаксационного генератора были исследованы и построены в зависимости от различных уровней гамма-излучения. Тип полупроводника, конструкция устройства и тип излучения влияют на величину этого изменения. Показано, что увеличение дозы гамма-излучения до 3,0 МГр приводит к уменьшению пикового напряжения (VP) с 3,71 В до 2,9 В, а минимальное напряжение (VV) увеличивается с 1,54 В до 1,89 В. Это приводит к выраженному сужению области отрицательного сопротивления. В результате было показано, что как амплитуда выходного сигнала, так и частота цепи релаксационного генератора зависят от дозы гамма-излучения. При этом исходные значения амплитуды напряжения выходного сигнала, составляющие 2,54 В, снизились до значения 2,13 В, а его частота, равная 1,67 кГц, увеличилась до 1,85 кГц, соответственно, из-за уровней гамма-воздействия до 3,0 МГр с использованием облучателя GammaCell-220 (Национальный центр радиационных исследований и технологий Египта).
Databáze: OpenAIRE
Externí odkaz: