АКУСТОСТИМУЛИРОВАННЯ 'КВАЗИКАВИТАЦИЯ' ВАКАНСИОННЫХ ДЕФЕКТІВ В ПОЛУПРООДНИКАХ ПРИ ИХ ВИСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОМ ОБЛУЧЕНИИ

Autor: Olikh, Ya. M., Lepikh, Ya. I.
Jazyk: ukrajinština
Rok vydání: 2017
Předmět:
Zdroj: Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 14, № 2 (2017); 46-54
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 14, № 2 (2017); 46-54
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 14, № 2 (2017); 46-54
ISSN: 1815-7459
2415-3508
Popis: Стаття присвячена дослідженню фізичних процесів у напівпровідникових структурах під дією високоенергетичного опромінення при імплантації іонів Ar+, N+ і O+ при одночасному опроміненні акустичними хвилями. Виявлено ряд ефектів обумовлених стимуляцією акустичним полем.Дається пояснення мікроструктурним перетворенням дефектно-домішкової структури кристала з позицій подібності процесів, що відбуваються при кавітації у рідинах. Вводиться термін “квазікавітація”, що за аналогією фізично базується на ефекті локальної високої концентрації енергії (тиску, температури і механічних напружень), яка суттєво впливає на процеси в напівпровідниках при іонно-променевій імплантації.
Статья посвящена исследованию физических процессов в полупроводниковых структурах под действием высокоэнергетического облучения при имплантации ионов Ar+, N+ и O+ и при одновременном облучении акустическими волнами. Выявлен ряд эффектов обусловленных стимуляцией акустическим полем.
The article is devoted to the investigation of physical processes in semiconductor structures under the action of high-energy irradiation at Ar +, N + and O + ions implantation at simultaneous acoustic waves irradiation. A number of effects caused by an acoustic field stimulation has been revealed.The explanation to the microstructured transformation of crystal defective – impurity structure from the positions of similarity of processes which occur at cavitation in liquids is given. The term “quasi-cavitation” which by the analogy is physically based on the effect of local high concentration of energy (pressure, temperatures and mechanical stress), which essentially effects on processes in semiconductors at ionic - beam implantation is entered.
Databáze: OpenAIRE
Externí odkaz: