ВПЛИВ МЕХАНІЧНОЇ ОБРОБКИ, ЕЛЕКТРИЧНОГО ТОКУ, ЗМІНИ ДЕФЕКТНОЇ СТРУКТУРИ НА НЕПРУЖНІ характеристики підкладок Si + SiO2, GeSi и SiO2
| Jazyk: | ukrajinština |
|---|---|
| Rok vydání: | 2020 |
| Předmět: |
полупроводниковая подложка
структурные дефекты ультразвуковая деформация внутреннее трение модуль упругости semiconductor wafer-plate structure defects ultrasound deformation internal friction elastic module напівпровідникова підкладка структурні дефекти ультразвукова деформація внутрішнє тертя модуль пружності |
| Zdroj: | Photoelectronics; № 21 (2012); 5-12 |
| ISSN: | 0235-2435 |
| Popis: | The method is created for nondestructive control of structure defects in semiconductors plates, which determines the integral density of structure defects, their distribution and the broken layer from the internal friction difference of free elastic vibrations on neighboring harmonics f1 and f2. The dislocation density and the broken layer are measured from the curve of dependence for wafer-plates Si + SiO2. The results of influencing of direct and variable electrical current at simultaneous influence of ultrasonic deformation on internal friction and the elastic module of crystal GeSi after cutting and polishing were studied. The decreasing of elastic module and the raise of internal friction was obtained under condition when the critical value of the electrical current is exceeded. Для неразрушающего контроля структурных дефектов полупроводниковых пластин разработана методика, позволяющая по разности внутреннего трения свободных упругих колебаний на соседних гармониках f1 и f2 определять интегральную плотность структурных дефектов, их распределение и глубину нарушенного слоя. Для подложек Si + SiO2 измерена интегральная плотность дислокаций и глубина нарушенного слоя по градуировочной кривой. Рассмотрено влияние постоянного и переменного электрического тока при одновременном действии ультразвуковой деформации на внутреннее трение и модуль упругости монокристалла GeSi после резки и шлифовки. Обнаружено уменьшение модуля упругости и рост внутреннего трения при достижении критической величины электрического тока. Для неруйнівного контролю структурних дефектів напівпровідникових пластин розроблена методика, що дозволяє по різниці внутрішнього тертя вільних пружних коливань на сусідніх гармоніках f1 і f2 визначати інтегральну щільність структурних дефектів, їх розподіл і глибину порушеного шару. Для підкладок Si + SiO2 зміряна інтегральна щільність дислокацій і глибина порушеного шару по градуювальній кривій. Розглянутий вплив постійного і змінного електричного току при одночасній дії ультразвукової деформації на внутрішнє тертя і модуль пружності монокристала GeSi2 після різання і шліфування. Виявлено зменшення модуля пружності і зростання внутрішнього тертя досягши критичної величини електричного току |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|