ОСОБЛИВОСТІ СВІТЛОВОЇ ПРОВІДНОСТІ В КРИСТАЛАХ, ОБРОБЛЕНИХ У КОРОННОМУ РОЗРЯДІ
| Autor: | Minaeva, O. P., Simanovych, N. S., Zatovskaya, N. P., Karakis, Y. N., Kutalova, M. I., Chemeresiuk, G. G. |
|---|---|
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2016 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | Photoelectronics; No. 25 (2016); 131-140 Photoelectronics; № 25 (2016); 131-140 |
| ISSN: | 0235-2435 |
| Popis: | The technology of processing of semiconductor crystals is developed in the corona discharge. It is established that as a result of this exposure, the samples acquire alternating spectral sensitivity. The observed phenomenon is explained by the emergence of a saddle of the potential barrier in the surface region of the element, the unusual properties which can allow the creation of a new type of device. Разработана технология обработки полупроводниковых кристаллов в коронном разряде. Установлено, что в результате этого воздействия образцы приобретают знакопеременную спектральную чувствительность. Наблюдаемые явления объяснены возникновением двухскатного потенциального барьера в приповерхностной области элемента, необычные свойства которого могут позволить создание прибора нового типа. Розроблено технологію обробки напівпровідникових кристалів у коронному розряді. Встановлено, що в результаті цього впливу зразки набувають знакоперемінну спектральну чутливість. Явища, що спостерігаються, пояснені виникненням двосхилого потенційного бар'єра в приповерхній області елемента, незвичайні властивості якого можуть дозволити створення приладу нового типу. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|