Электрические свойства светоизлучающей гетероструктуры n-TiN/n-GaP
| Jazyk: | ukrajinština |
|---|---|
| Rok vydání: | 2017 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | Lighting engineering and power engineering; № 1 (2014); 4-10 Светотехника и электроэнергетика; № 1 (2014); 4-10 Світлотехніка та електроенергетика; № 1 (2014); 4-10 |
| ISSN: | 2079-424X 2415-3923 |
| Popis: | Отримано світловипромінюючі гетероструктури n-TiN/n-GaP шляхом нанесення тонкоплівкового TiN методом реактивного магнетронного розпилення на монокристалічні підкладки фосфіду галію.Досліджено температурні залежності висоти потенціального бар'єру і послідовного опору ізотипного гетеропереходу n-TiN/n-GaP та вольт фарадні характеристики при різних частотах збуджуючого сигналу.Встановлено, що домінуючі механізми струмопереносу через гетероструктуру при прямому зміщенні добре описуються в рамках тунельно-рекомбінаційної і генераційно - рекомбінаційної моделей за участю поверхневих станів. Получены светоизлучающие гетероструктуры n-TiN/n-GaP путем нанесения тонкопленочного TiN методом реактивного магнетронного распыления на монокристаллические подложки фосфида галлия.Исследованы температурные зависимости высоты потенциального барьера и последовательного сопротивления изотипных гетеропереходов n-TiN/n-GaP и вольт-фарадные характеристики при различных частотах возбуждающего сигнала.Установлено, что доминирующие механизмы токопереноса через гетероструктуру при прямом смещении хорошо описываются в рамках туннельно - рекомбинационной и генерационно - рекомбинационной моделей с участием поверхностных состояний. Light emitting heterojunction n-TiN/n-GaP were fabricated by the deposition of the TiN thin film onto the GaP single crystal substrate by means of the reactive magnetron spattering.The temperature dependences of the height of the potential barrier and series resistance as well as the capacitance-voltage characteristics at different frequencies of the ac signal were investigated. We have established that the dominating current transport mechanisms through the heterojunctions under investigated are well described in the scope of the tunnel-recombination and generation-recombination models. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|