ОСОБЕННОСТИ ВОЛЬТ-ФАРАДНОЙ ЗАВИСИМОСТИ БАРЬЕРНОЙ ЕМКОСТИ НЕИДЕАЛЬНЫХ ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ

Autor: Borschak, V. A., Kutalova, M. I., Zatovskaya, N. P., Vilinskaya, L. N., Karpenko, A. O.
Jazyk: angličtina
Rok vydání: 2016
Předmět:
Zdroj: Photoelectronics; No. 25 (2016); 109-113
Photoelectronics; № 25 (2016); 109-113
ISSN: 0235-2435
Popis: Abnormal dependence of volt-farad characteristics of «nonideal» heterojunctiоn barrier capacity is investigated. It is shown that in heterojunctions with the big concentration and non-uniform distribution of defects tunnel currents essentially influence on the barrier capacity size. The model for an explanation of abnormal barrier capacity dependence on the voltage, using tunneling-recombination mechanism of carriers carry through the area of a spatial charge is offered. The put forward assumptions put in a model basis, are confirmed experimentally.
Исследована аномальная зависимость вольт-фарадной характеристики барьерной емкости «неидеальных» гетеропереходов. Показано что в гетеропереходах с большой концентрацией и неоднородным распределением дефектов туннельные токи существенно влияют на величину барьерной емкости. Предложена модель для объяснения аномальной зависимости барьерной емкости от напряжения, использующая туннельно-рекомбинационный механизм переноса носителей через область пространственного заряда. Выдвинутые предположения, положенные в основу модели, подтверждены экспериментально.
Досліджено аномальну залежність вольт-фарадної характеристики бар’єрної ємності «неідеальних» гетеропереходів. Показано що в гетеропереходах з великою концентрацією і неоднорідним розподілом дефектів тунельні струми істотно впливають на величину бар’єрної ємності. Запропоновано модель для пояснення аномальної залежності бар’єрної ємності від напруги, що використовує тунельно-рекомбінаційний механізм переносу носіїв через область просторового заряду. Висунуті припущення, покладені в основу моделі, підтверджені експериментально
Databáze: OpenAIRE
Externí odkaz: