Основні електрофізичні параметри ниткоподібних мікрокристалів твердого розчину GaxIn1-xAs
| Jazyk: | ukrajinština |
|---|---|
| Rok vydání: | 2014 |
| Předmět: |
microwhiskers
GaxIn1-xAs electrophysical parameters band gap value radiation resistance ниткоподібні мікрокристали електрофізичні параметри ширина забороненої зони радіаційна стійкість нитевидные микрокристаллы электрофизические параметры ширина запрещенной зоны радиационная стойкость УДК 621.315.592 |
| Zdroj: | Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 1, № 5(67) (2014): Applied physics; 27-33 Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 1, № 5(67) (2014): Прикладная физика; 27-33 Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 1, № 5(67) (2014): Прикладна фізика; 27-33 |
| ISSN: | 1729-3774 1729-4061 |
| Popis: | The paper deals with the studying basic electrophysical parameters of GaхIn1-хAs solid solution microwhiskers, grown by the method of chemical transport reactions using the vapor-liquidcrystal mechanism, and their stability under the influence of ionizing (neutron) radiation. Such studies are interesting in terms of the efficiency of the method of growing these materials, model calculations of their parameters and identifying possible application fields. The results of studying the electrophysical parameters (the Hall coefficient, resistivity, mobility) of the grown GaxIn1-xAs microwhiskers in the composition range of 0.3≤x≤0.8 are given. The band gap value of the microwhiskers was calculated by the changes behavior of the electrophysical parameters in the zone of intrinsic and mixed conduction. The analysis of the radiation resistance of the grown microwhiskers was carried out on the basis of the local electroneutrality level calculation for GaxIn1 xAs solid solution with different composition and changes in the concentration of the intrinsic material charge carriers, determined before and after the neutron radiation at fluences of Fn = 1・1015 sm-2 та Fn = 7・1015 sm-2. It was found that in GaxIn1-xAs solid solution the sublattices of binary compounds retain their properties and under the influence of ionizing radiation can compensate the material changes by forming radiation defects (dopants) of different types (acceptor and donor), which allow developing radiation-resistant devices on their basis. So, GaхIn1-хAs solid solutions with the component composition of x ≤ 0.6 are interesting in terms of using for sensors, operating in radiation conditions that was experimentally confirmed. Представлены результаты исследования электрофизических параметров (постоянной Холла, удельного сопротивления, подвижности) выращенных нитевидных микрокристаллов GaxIn1-xAs в диапазоне составов 0,3 ≤ x ≤ 0,8, характер изменения которых в зоне собственной и смешанной проводимости позволили вычислить ширину запрещенной зоны. Анализ радиационной стойкости выращенных микрокристаллов проводили на основе изменения электрофизических параметров материала, определенных до и после облучения нейтронами. Представлено результати дослідження електрофізичних параметрів (постійної Холла, питомого опору, рухливості) вирощених ниткоподібних мікрокристалів GaxIn1-xAs в діапазоні складів 0,3≤x≤0,8, характер зміни яких в зоні власної та змішаної провідності дозволили обчислити ширину забороненої зони. Аналіз радіаційної стійкості вирощених мікрокристалів проводили на основі зміни електрофізичних параметрів матеріалу, визначених до та після опромінення нейтронами. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|