ФІЗИКА НАНОТРАНЗИСТОРІВ: РОЗСІЯННЯ ЕЛЕКТРОНІВ І МОДЕЛЬ ПРОХОДЖЕННЯ MOSFET
| Jazyk: | ukrajinština |
|---|---|
| Rok vydání: | 2020 |
| Předmět: |
наноелектроніка
польовий транзистор MOSFET модель ЛДЛ метрика транзисторів розсіювання електронів модель проходження nanoelectronics field effect transistor MOSFET LDL model transistor metrics electron scattering transmission model наноэлектроника полевой транзистор MOSFET модель ЛДЛ метрика транзисторов рассеяние электронов модель прохождения |
| Zdroj: | Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 17, № 2 (2020); 16-34 Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 17, № 2 (2020); 16-34 Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 17, № 2 (2020); 16-34 |
| ISSN: | 1815-7459 2415-3508 |
| Popis: | In the seventh one from the line our new tutorial reviews, directed to serve students, university teachers and researchers, а qualitative picture of electron scattering phenomena in the conduction channel of nanotransistors was considered in detail. The concept of the transmission coefficient T(E) expressed through the mean free path λ (E) and the conduction channel length L is а key one in our examination. Later the generalized Landauer – Datta – Lundstrom transport theory made it possible to construct a model for the transmission of a MOSFET with allowance for the scattering of electrons. В седьмой из новой серии наших методических обзорных статей, ориентированных на студентов, аспирантов, преподавателей высшей школы и исследователей, подробно рассмотрена качественная картина явлений рассеяния электронов в канале проводимости нанотранзисторов. В ней ключевым при рассмотрении является понятие о коэффициенте прохождения T(E) , выраженном через среднюю длину свободного пробега относительно рассеяния назад λ (E) и длину канала проводимости L . Затем обобщенная теория транспорта Ландауэра – Датта – Лундстрома позволила построить модель прохождения MOSFET с учетом рассеяния электронов. У сьомій із нової серії методично-оглядових статей, орієнтованих на дослідників, студентів, аспірантів та викладачів вищої школи, ми докладно розглянули якісну картину явищ розсіяння електронів у каналі провідності нанотранзисторів. При цьому розгляді ключовим є поняття коефіцієнту проходження T(E) , який записується через середню довжину вільного пробігу щодо розсіяння назад λ (E) і довжину каналу провідності L . Узагальнена теорія електронного транспорту Ландауера – Датта – Лундстрома дозволила побудувати модель проходження MOSFET з урахуванням розсіяння електронів. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|