СТРУКТУРНО-ФАЗОВЫЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ В ПЛЕНКАХ НА ГРАНИЦЕ РАЗДЕЛА ГЕТЕРОСИСТЕМЫ «СТЕКЛО - КЛАСТЕРЫ Ag-Pd» – Sn-Pb

Jazyk: ukrajinština
Rok vydání: 2021
Předmět:
Zdroj: Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Vol. 18 No. 2 (2021); 14-19
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 18 № 2 (2021); 14-19
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 18 № 2 (2021); 14-19
ISSN: 1815-7459
2415-3508
Popis: Structural-phase transformations in films at the interface of the heterosystem "glass - Ag-Pd clusters" – Sn-Pb have been investigated. The relationship between these transformations and the initial system material component dispersion is established at the same film element temperature operating mode. It is shown that structural-phase transformations in contact elements of hybrid integrated circuits microelectronic devices, sensors and solar cells, etc. made of functional materials based on the specified heterosystem can lead to degradation processes and, as a consequence, to a decrease in the electronic product reliability.
Исследованы структурно-фазовые превращения в пленках на границе раздела гетеросистемы «стекло - кластеры Ag-Pd» – Sn-Pb. Установлена связь этих преобразований с дисперсностью исходных компонентов материалов системы при одинаковых температурных режимах обработки пленочных элементов. Показано, что структурно-фазовые превращения в контактных элементах микроэлектронных устройств гибридных интегральных схем, сенсоров, солнечных элементов и т.п. изготовленных из функциональных материалов на основе указанной системы могут приводить к деградационным процессам и, как следствие, к снижению надежности радиоэлектронных изделий.
Досліджено структурно-фазові перетворення у плівках на границі розділу гетеро системи «скло – кластери Ag-Pd» – Sn-Pb. Встановлено зв’язок цих перетворень з дисперсністю вихідних компонентів матеріалів системи за однакових температурних режимів обробки плівкових елементів. Показано, що структурно-фазові перетворення в контактних елементах мікроелектронних пристроїв гібридних інтегральних схем, сенсорів, сонячних елементів тощо виготовлених з функціональних матеріалів на основі вказаної системи можуть призводити до деградаційних процесів і, як наслідок, до зниження надійності радіоелектронних виробів.
Databáze: OpenAIRE
Externí odkaz: