Cd1-xMnxTe AS A MATERIAL FOR Õ- AND γ-RAY DETECTORS

Autor: Kosyachenko, L. A., Rarenko, I. M., Sklyarchuk, V. M., Yurtsenyuk, N. S., Maslyanchuk, O. L., Sklyarchuk, O. F., Zakharuk, Z. I., Grushko, E. V.
Jazyk: ukrajinština
Rok vydání: 2010
Předmět:
Zdroj: Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 7, № 3 (2010); 74-80
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 7, № 3 (2010); 74-80
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 7, № 3 (2010); 74-80
ISSN: 1815-7459
2415-3508
Popis: Досліджено монокристали Cd1-xMnxTe p-типу провідності зі вмістом марганцю 40 % (х = 0.4) на предмет їх застосування в детекторах Х- і γ-випромінювання. Зі спектрів оптичного пропускання знайдено ширину забороненої зони напівпровідника, значення якої зіставлено з узагальненими літературними даними для такого вмісту Mn. Створені омічні контакти й досліджено температурну залежність питомого опору матеріалу (~ 108 Ом⋅см при 300 К). Виходячи із статистики носіїв заряду в компенсованому напівпровіднику, знайдено енергію іонізації й ступінь компенсації акцептора, відповідального за електропровідність Cd0.6Mn0.4Te. Сформульовано рекомендації щодо покращення параметрів Cd0.6Mn0.4Te як матеріалу для детекторів Х- і γ-випромінювання.
Исследованы монокристаллы Cd1-xMnxTe p-типа проводимости с содержанием марганца 40 % (х = 0.4) на предмет их применения в детекторах Х- и γ-излучения. Из спектров оптического пропускания найдена ширина запрещенной зоны полупроводника, значение которой сопоставлено с обобщенными литературными данными для такого содержания Mn. Созданы омические контакты и исследована температурная зависимость удельного сопротивления материала (~ 108 Ом⋅см при 300 К). Исходя из статистики носителей заряда в компенсированном полупроводнике, найдена энергия ионизации и степень компенсации акцептора, ответственного за электропроводность Cd0.6Mn0.4Te. Сформулированы рекомендации для улучшения параметров Cd0.6Mn0.4Te как материала для детекторов Х- и γ-излучения.
Cd1-xMnxTe crystals of p-type conductivity with 40 % manganese content (x = 0.4) are investigated for their use in detectors of X-and γ-radiation. From optical transmission spectra, the band gap of semiconductor has been found whose value compared with the generalized literature data for such Mn content. Ohmic contacts have been created and the temperature dependence of resistivity of the material has been investigated (~ 108 Ω⋅cm at 300 K). Based on the statistics of charge carriers in a compensated semiconductor, the ionization energy and the compensation degree of acceptor responsible for resistivity of Cd0.6Mn0.4Te have been obtained. Recommendations for improvement of parameters of Cd0.6Mn0.4Te as detector material for X-and γ-radiation are formulated.
Databáze: OpenAIRE
Externí odkaz: