НИЗЬКОТЕМПЕРАТУРНА ФОТОПРОВІДНІСТЬ ТА ТЕРМОСТИМУЛЬОВАНА ПРОВІДНІСТЬ МОНОКРИСТАЛІВ Tl1-xIn1-xSnxSe2

Jazyk: ukrajinština
Rok vydání: 2018
Předmět:
Zdroj: Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 15, № 1 (2018); 53-62
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 15, № 1 (2018); 53-62
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 15, № 1 (2018); 53-62
ISSN: 1815-7459
2415-3508
Popis: The photoconductivity spectra in the temperature range T≈36-200 K and the spectra of thermostimulated currents in the temperature range T≈70-300 K of Tl1-xIn1-xSnxSe2 single crystals obtained by directional crystallization of Bridgman-Stockbarger have been studied. The induced photoconductivity and long-term photoconductivity relaxation processes have been found. To interpret the found results, a model of two-center recombination has been suggested. It is illustrated that the role of the r-centers of slow recombination are formed by Tl vacancies. On the basis of the studies of the spectra of thermally stimulated currents, the thermal energy of electrons activation with t-levels of adhesion have been determined.
Исследованы спектры фотопроводимости в температурном интервале Т≈36-200 К и спектры термостимулированных токов в температурном интервале Т≈70-300 К монокристаллов Tl1-xIn1-xSnxSe2, полученых методом направленной кристаллизации Бриджмена-Стокбаргера. Обнаружена индуцированная фотопроводимость и долговременные процессы релаксации фотопроводимости. Для интерпретации полученных результатов предложена модель двухцентровой рекомбинации. Показано, что роль r-центров медленной рекомбинации в монокристаллах Tl1-xIn1-xSnxSe2 выполняют вакансии Tl. Основываясь на исследованиях спектров термостимульованих токов определено термическую энергию активации электронов с t-уровней прилипания.
Досліждені спектри фотопровідності в температурному інтервалі Т≈36-200 К та спектри термостимульованих струмів в температурному інтервалі Т≈70-300 К монокристалів Tl1-xIn1-xSnxSe2, отриманих методом напрямленої кристалізації Бріджмена-Стокбаргера. Виявлена індукована фотопровідність та довготривалі процеси релаксації фотопровідності. Для інтерпретації отриманих результатів запропонована модель двоцентрової рекомбінації. Показано, що роль r-центрів повільної рекомбінації в монокристалах Tl1-xIn1-xSnxSe2 виконують вакансії Tl. На основі досліджень спектрів термостимульованих струмів визначено термічну енергію активації електронів з t-рівнів прилипання.
Databáze: OpenAIRE
Externí odkaz: