МЕТОДОЛОГІЯ ПЕРЕРАХУНКУ КООРДИНАТ АТОМІВ БАЗИСУ В ЕЛЕМЕНТАРНІЙ КОМІРЦІ КРИСТАЛІЧНОГО β-Ga2O3, ЩО ЗАДАНІ В МОНОКЛІННІЙ КРИСТАЛОГРАФІЧНІЙ СИСТЕМІ, В ЛАБОРАТОРНІ ДЕКАРТОВІ КООРДИНАТИ ДЛЯ КОМП’ЮТЕРНОГО ЗАСТОСУВАННЯ
Jazyk: | angličtina |
---|---|
Rok vydání: | 2021 |
Předmět: | |
Zdroj: | Photoelectronics; No. 29 (2020); 12-20 Photoelectronics; № 29 (2020); 12-20 |
ISSN: | 0235-2435 |
Popis: | One of the most important areas of modern technology is the creation of new structural materials with predetermined properties. Along with industrial methods for their preparation and technologies associated with the artificial growth of crystalline structures, various methods of computer modeling of new materials have recently become increasingly important. Such approaches can significantly reduce the number of full-scale experiments. Many applications of the computational materials science are related to the need to establish a relationship between structure and electronic characteristics, and other physical properties of crystals. This article on the example of crystalline β-Ga2O3 presents the algorithms used in the converting of the coordinates of the basis atoms in a unit cell of crystal, specified in a crystallographic system, in the Cartesian coordinates for the computational experiment. Одним из важнейших направлений современных технологий является создание новых конструкционных материалов с заранее заданными свойствами. Наряду с промышленными способами их получения и технологиями, связанными с искусственным выращиванием кристаллических структур, в последнее время все большее значение приобретают различные методы компьютерного моделирования новых материалов. Такие подходы позволяют существенно сократить число натурных экспериментов. Многие задачи прикладного вычислительного материаловедения связанные с необходимостью установления взаимосвязи между структурой и электронными характеристиками, другими физическими свойствами кристаллов. В статье на примере кристаллического β-Ga2O3 представлены алгоритмы, используемые при проектировании кристаллических структур, позволяющие исследовать их свойства в вычислительном эксперименте. Одним із найважливіших напрямків сучасних технологій є створення нових конструкційних матеріалів з наперед заданими властивостями. Поряд з промисловими способами їх отримання і технологіями, пов’язаними з штучним вирощуванням кристалічних структур, останнім часом все більшого значення набувають різні методи комп’ютерного моделювання нових матеріалів. Такі підходи дозволяють істотно скоротити число натурних експериментів. Багато задач прикладного обчислювального матеріалознавства пов’язані з необхідністю встановлення взаємозв’язку між структурою та електронними характеристиками, іншими фізичними властивостями кристалів. У статті на прикладі кристалічного β-Ga2O3 представлені алгоритми, використовувані при проектуванні кристалічних структур, що дозволяють досліджувати їх властивості в обчислювальному експерименті. |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |