ОДНОЕЛЕМЕНТНИЙ ПРИЙМАЛЬНИЙ ПРИСТРІЙ ДЛЯ РЕЄСТРАЦІЇ ВИПРОМІНЮВАННЯ СУБ-ТГц/ТГц ДІАПАЗОНА НА ОСНОВІ КРЕМНІЄВОГО ПОЛЬОВОГО ТРАНЗИСТОРА

Autor: Lysiuk, I. O., Golenkov, A. G., Dukhnin, S. E., Reva, V. P., Shevchik-Shekera, A. V., Sizov, F. F.
Jazyk: ruština
Rok vydání: 2017
Předmět:
Zdroj: Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 14, № 3 (2017); 38-46
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 14, № 3 (2017); 38-46
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 14, № 3 (2017); 38-46
ISSN: 1815-7459
2415-3508
Popis: В работе рассмотрено приемное устройство для регистрации электромагнитного излучения суб-ТГц/ТГц диапазона спектра, чувствительным элементом которого есть кремниевый полевой транзистор, подключенный к антенне затвором и истоком. Описано геометрию чувствительного элемента, принцип работы приемного устройства, методику измерения чувствительности и мощности эквивалентной шуму (NEP). Для приемного устройства разработана и изготовлена съёмная система асферических линз, приведена измеренная функция рассеяния точки на частоте излучения 140 ГГц. На этой же частоте излучения протестирована работа приемного устройства, измерена чувствительность S=2,8×105 В/Вт и мощность эквивалентная шуму NEP=4,3×10-10 Вт (Гц)-1/2.
В роботі розглянуто приймальний пристрій для реєстрації електромагнітного випромінювання суб-ТГц/ТГц діапазону спектра, чутливим елементом якого є кремнієвий польовий транзистор, підключений до антени затвором й витоком. Описано геометрію чутливого елементу, принцип роботи приймального пристрою, методику вимірювання чутливості і потужності еквівалентної шуму (NEP). Для приймального пристрою розроблена та виготовлена з’йомна система лінз, наведено виміряну функцію розсіяння точки на частоті джерела випромінювання 140 ГГц. На цій частоті випромінювання випробувано роботу приймального пристрою, виміряно чутливість S=2,8×105 В/Вт та потужність еквівалентну шуму NEP=4,3×10-10 Вт (Гц)-1/2
A sub-THz/THz radiation detector device based on Si-MOSFET has been presented. Si-MOSFET source and gate connected to an antenna serves as a detector element. Geometry of the Si-MOSFET antenna, principle of device operation, method of estimating the sensitivity and noise equivalent power (NEP) have been described. A removable system of aspheric lenses has been developed and made for this detector device, a measured point spread function of the system of aspheric lenses has been given at the frequency 140 GHz. The detector device has been tested at the same frequency; sensitivity and NEP of the detector device have been estimated and they are equal to S=2.8×105 V/W, NEP=4.3×10-10 W (Hz)-1/2, accordingly.
Databáze: OpenAIRE
Externí odkaz: