The temperature properties of semiconductor resonant structures with electronic control
| Autor: | Didenko, Yurii Viktorovych, Molchanov, Vitalii Ivanovych, Pashkov, V. M., Tatarchuk, Dmytro Dmytrovych, Franchuk, A. S. |
|---|---|
| Jazyk: | ukrajinština |
| Rok vydání: | 2013 |
| Předmět: |
p-i-n диод
резонанс E-типа полупроводниковый резонатор с электронным управлением собственная добротность температурный коэффициент p-i-n діод резонанс E-типу напівпровідниковий резонатор з електронним керуванням власна добротність температурний коефіцієнт p-i-n diode E-type resonance semiconductor resonator with electronic control unloaded Q-factor temperature coefficient |
| Zdroj: | Electronics and Communications; Том 18, № 5 (2013); 9-12 Электроника и Связь; Том 18, № 5 (2013); 9-12 Електроніка та Зв'язок; Том 18, № 5 (2013); 9-12 |
| ISSN: | 1811-4512 2312-1807 |
| Popis: | Розглянуто p-i-n діоди як багатошарові електродинамічні системи. Показано, що в таких системах можливе виникнення електромагнітного резонансу E-типу. На основі цього підходу отримано аналітичні вирази для оцінювання температурних залежностей параметрів таких приладів. Експериментально досліджено температурні властивості резонансних систем на основі p-i-n діодів, виготовлених із кремнію та арсеніду галію, а саме залежність резонансної частоти і власної добротності від температури в міліметровому діапазоні довжин хвиль. Показано доцільність використання p-i-n діодів як керованих резонансних структур у надвисокочастотному діапазоні.Бібл. 5, рис. 3, табл. 1. Рассмотрены p-i-n диоды как многослойные электродинамические системы. Показано, что в таких системах возможно возникновение электромагнитного резонанса E-типа. На основе данного подхода получены аналитические выражения для оценки температурных зависимостей параметров таких приборов. Экспериментально исследованы температурные свойства резонансных систем на основе p-i-n диодов, изготовленных из кремния и арсенида галлия, а именно зависимость резонансной частоты и собственной добротности от температуры в миллиметровом диапазоне длин волн. Показана целесообразность использования p-i-n диодов как управляемых резонансных структур в сверхвысокочастотном диапазоне.Библ . 5, рис. 3, табл . 1. The p-i-n diodes as multilayer electromagnetic systems are considered. It is shown that in such systems may experience electromagnetic E-type resonance. Using this approach, analytical expressions for the evaluation of the temperature dependence of the parameters of such devices are obtained. The temperature properties of resonant systems on the base of Si and GaAs p-i-n diodes, namely the dependence of resonant frequency and unloaded Q‑factor from temperature at millimeter wavelengths are experimentally studied. The expediency of the use of p-i-n diodes as controlled resonant structures in the UHF range is shown.References 5, figures 3, tables 1. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|